電子束刻蝕系統

摘要 AXCELIS/FUSIONRADIANTSTRIP320ES刻蝕機，Stripper/Asher系統，現貨供應，打包完成，可隨時發貨

摘要 二手現貨刻蝕機PVATEPLA/TECHNICS200SERIES，2005年設備，可對2~6英寸的晶圓進行蝕刻工藝加工處理

摘要 PVATEPLA/TECHNICS300AUTOLOADPC刻蝕機

摘要 二手現貨刻蝕機PVATEPLA/TECHNICS300SEMI-AUTO，等離子刻蝕系統，已打包封裝完成，隨時可發貨

摘要 PVATEPLA/TECHNICS300TL1000刻蝕機二手現貨，Plasmaasher設備，已運行2065小時

摘要 PVATEPLA/TECHNICS刻蝕機400INLINE/PS400二手現貨，微波等離子刻蝕系統，打包封裝完成，隨時發貨

摘要 PVATEPLA/TECHNICS600AUTOLOAD二手刻蝕機現貨，Plasmaasher設備，已運行1731小時

摘要 PVATEPLA/TECHNICS660刻蝕機二手現貨，2008年設備，僅運行16小時，微波等離子刻蝕設備

摘要 PVATEPLA/TECHNICSGIGA690二手現貨刻蝕機，2010年等離子刻蝕系統

摘要 PVATEPLA/TECHNICSGIGABATCH360M刻蝕機，2013年設備，等離子刻蝕系統

摘要 HITACHIKOKUSAIAsherRAM-8500ZX，針對于8英寸晶圓Asher設備，生產于1996年

摘要 AspenIII基于具有接地法拉第屏蔽的專有ICP源設計，為半導體制造商提供經過生產驗證且具有成本效益的剝離和蝕刻解決方案

摘要 Novellus二手翻新刻蝕系統Gamma2130，屬Asher類設備，針對于12英寸(300mm)晶圓處理

摘要 AMAT二手刻蝕系統CenturaEnabler，于2010年開始使用，采用氧化物刻蝕法，針對12英寸晶圓進行處理

摘要 Axcelis二手刻蝕系統Integra于2012年投入使用，針對于12英寸晶圓的蝕刻處理

摘要 Hitachi日立二手刻蝕系統DM421P與1995年投入使用，針對于8英寸晶圓的刻蝕工藝

摘要 Mattson二手刻蝕設備ParadigmE于2012年開始使用，針對于12寸晶圓的刻蝕處理

摘要 Mattson二手刻蝕系統ParadigmEXP于2010年投入使用，針對于12英寸晶圓的LightEtch工藝

摘要 TEL二手刻蝕設備TactrasVigus-0于2012年開始使用

摘要 TEL刻蝕系統Tactras™是一種高度可靠的300毫米等離子蝕刻系統，可提高蝕刻工藝的工作效率

摘要 TEL刻蝕系統CertasLEAGA™是一種環保、高通量的氣體化學蝕刻系統，專為300毫米晶圓而設計，無需使用液體即可提供表面蝕刻和清潔

摘要 UNITY™Me在200毫米晶圓內實現等離子蝕刻工藝的性價比，提供的可靠性和生產力

摘要 AMAT刻蝕設備CENTURADPS2，具有4個作業腔室，3個DPSII腔室和一個Axiom室，采用ASHERS過程工藝，針對于12英寸晶圓進行高效處理

摘要 AMAT二手刻蝕設備Centura5200生產于1998年，針對于6-8英寸JMF形晶圓進行刻蝕處理

摘要 AMAT等離子蝕刻機AME8100用于反應離子氧化物、氮化物和抗蝕劑除渣的蝕刻

摘要 HITACHI二手翻新現貨刻蝕機M308AT采用金屬蝕刻工藝，針對于8英寸(200mm)尺寸的晶圓處理

摘要 LRCRainbowEtcher是全自動在線單晶圓等離子/RIE蝕刻系統，可處理6英寸或8英寸晶圓，具有頂部或/和底部供電電極板、可編程電極間距和自動非接觸式晶圓對齊和放置

摘要 LAMRESEARCH刻蝕系統TCP9400最初設計用于生產多晶硅蝕刻

摘要 Gasonics等離子刻蝕系統L3510設計用于半導體晶圓的灰化和清洗

摘要 SAMCO等離子刻蝕機RIE-300NR是一種理想的反應離子蝕刻系統，適用于加工?300mm晶圓和多晶圓（?3"×12，?4"×8等），具有優異的均勻性

摘要 RIE等離子蝕刻系統RIE-200NL是一種負載鎖定型的反應離子蝕刻系統，它提高了工藝的可重復性，并允許腐蝕性氣體化學

摘要 RIE-200C是在擁有豐富交貨業績的CCPRIE系統"RIE-10NR"的基礎上開發的量產型盒式裝載系統

摘要 SAMCOICP刻蝕機RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統

摘要 SAMCO二手現貨ICP刻蝕機RIE-400iP是用于?4"晶圓的負載鎖定型蝕刻系統，可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工

摘要 SAMCOICP-RIE等離子體蝕刻設備RIE-800iP是一種能夠產生高密度等離子體的ICP（感應耦合等離子體）蝕刻系統

摘要 SAMCOICP刻蝕設備RIE-350iPC是一種盒式裝載電感耦合等離子體(ICP)蝕刻設備，可處理多達?350毫米的載盤，用于多晶圓批量處理

摘要 SAMCO深硅刻蝕設備RIE-400iPB是一款電感耦合等離子體放電設備，用于博世MEMS和電子元件工藝中的高速硅深孔加工

摘要 SAMCO深硅刻蝕系統RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產型硅DRIE系統

摘要 SAMCO深硅蝕刻設備RIE-802BCT是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應室的量產用硅深孔系統

摘要 SAMACOICP蝕刻設備RIE-800iPC，具有優良工藝再現性的生產設備它是一種使用感應耦合等離子體作為放電類型的高密度等離子體蝕刻設備

摘要 SAMCO二手翻新ICP刻蝕機RIE-400iPC，是高密度等離子體蝕刻系統，采用電感耦合等離子體作為放電形式

摘要 TEL/TOKYOELECTRON氧化物刻蝕系統TE8500采用VEXTA5相驅動器，針對8英寸晶圓的可是處理

摘要 TEL/TOKYOELECTRON二手翻新現貨刻蝕機TELIUSSP305SCCMTE，針對于12英寸的晶圓進行刻蝕處理，采用接觸式刻蝕作業方式，可4個腔室同時工作

摘要 LAMRESEARCH刻蝕機4400二手設備現貨供應，針對6英寸晶圓進行刻蝕處理

摘要 LAMRESEARCH二手翻新刻蝕機4500，針對6英寸晶圓的氧化刻蝕設備