與上一代1Y產品相比，該產品的生產率提高了約27%，由于可以在不適用超高價的EUV(極紫外光刻)曝光工藝的情況下進行生產，其在成本上具有競爭優勢。
新款1Z納米DRAM支持高達3200 Mbps的數據傳輸速率，據稱是DDR4規格內速度。在功耗方面，與基于第二代8Gb產品的相同容量模組相比，功耗降低約40%。
第三代產品適用前一代生產工藝中從來沒使用過的新材料，將DRAM操作的關鍵要素靜電容量(Capacitance)大化。此外，還引進了新的設計技術，提高了動作穩定性。
接下來，SK海力士計劃將第三代10納米級微細工程技術擴展到多種應用領域，包括下一代移動DRAM LPDDR5和端DRAM HBM3等。
DRAM 1Z開發事業TF長李廷燻表示，該芯片計劃年內完成批量生產，從明年開始正式供應。
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