【儀表網 儀表上游】中國集成電路行業單體投資大的項目——總投資240億美元的國家存儲器基地項目，12月30日在湖北武漢東湖高新區正式動工建設。
來自紫光集團的消息，該項目由國家集成電路產業基金、清華控股成員企業紫光集團、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設，主要生產存儲器芯片，總占地面積1968畝。湖北省副省長許克振今天宣布國家存儲器基地項目正式開工。
集成電路是信息技術產業的核心，是支撐社會經濟發展和保障國家信息安全、產業安全的戰略性、基礎性和先導性產業。據預測，存儲芯片目前在整個芯片市場占比超過25%，未來將達到45%左右。
紫光集團董事長兼長江存儲公司董事長趙偉國在現場介紹項目情況時強調，國家存儲器基地正式動工建設，具有特殊意義：一是存儲器基地項目是中國集成電路存儲芯片產業規模化發展“零”的突破，相當于中國科技領域的航空母艦出海試航；二是存儲器基地項目的運作，是一種新模式的成功探索，這種新模式就是“國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作”的三合一；三是存儲器基地項目投資強度大，是中國集成電路行業單體投資大的項目，也是湖北省大的投資項目，也是中國大的單體投資項目。
工業和信息化部、國家發改委相關領導表示，國家存儲器基地項目的實施，必將進一步帶動湖北省、武漢市集成電路產業發展，推動中部地區崛起和經濟專型升級，促進我國集成電路產業向更高水平發展。中央部委將會同有關部門和地方，加強規劃引導，大力推動、重點支持國家存儲器基地項目建設，著力促進產業集聚和產業鏈協同。
此次正式開工建設的國家存儲器基地項目。位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，將建設3座單座潔凈面積大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建筑，其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產，2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。
（原標題：總投資240億美元 國家存儲器基地項目武漢開工）
