原子層沉積系統

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學部件、珠寶、硬幣、醫療植入物等 3D 部件的研發。

摘要 PICOSUN® R-200 標準 ALD 系統適用于數十種應用的研發，例如 IC 組件、MEMS 設備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學器件、珠寶、硬幣和醫療植入物。

摘要PICOSUN™ P-300 系統擁有的熱壁、獨立的前驅體管路和特殊的載氣設計，確保可以生產出具有優異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質量 ALD 薄膜。高效緊湊的設計使得維護更加方便、快捷，大限度減少系統的維護停工期和使用成本。擁有技術的 Pi...

摘要 金屬有機物前驅體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要“世界上沒有一個ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質。” Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領域研究起步時期。ALD原子層沉積系統是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發明的，他現在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創...

摘要 金屬有機物前驅體和反應氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要PICOSUN™ P-300 系統擁有的熱壁、獨立的前驅體管路和特殊的載氣設計，確保可以生產出具有優異的成品率、低顆粒水平和的電學和光學性能的高質量 ALD 薄膜。高效緊湊的設計使得維護更加方便、快捷，大限度減少系統的維護停工期和使用成本。擁有技術的 Pi...

摘要 PICOSUN® R-200 標準 ALD 系統適用于數十種應用的研發，例如 IC 組件、MEMS 設備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學器件、珠寶、硬幣和醫療植入物。

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學部件、珠寶、硬幣、醫療植入物等 3D 部件的研發。

摘要 設備規格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅體路數：支持6路前驅體氣路（可定制)

摘要 設備規格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅體路數：支持6路前驅體氣路（可定制)

摘要 詳細內容ALD-02原子層沉積系統ALD產品特點產品參數產品介紹TheAdvancedALDsystemisaviscousflow-typereactorforultrathinfilmdeposition

摘要 美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積：NLD-4000 獨立式ALD系統NLD-3500 緊湊型獨立式ALD系統NLD-3000 臺式ALD系統

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 科研型原子層沉積系統ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術,具有的熱壁設計和單獨的入口，可實現無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

摘要 等離子體增強原子層沉積系統采用更大的腔室和等離子ALD模塊,獲得更好的原子層沉積效果

摘要 詳細介紹等離子體增強原子層沉積系統等離子體增強原子層沉積系統（PEALD)等離子體增強原子層沉積（PlasmaEnhanceAtomicLayerDeposition

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 科研型原子層沉積系統ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術,具有的熱壁設計和單獨的入口，可實現無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

摘要 等離子體增強原子層沉積系統采用更大的腔室和等離子ALD模塊,獲得更好的原子層沉積效果

摘要 產品概要： 美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統，包括：傳統的熱原子層沉積系統(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(Power-ALD)。

摘要 芬蘭PICOSUN公司是ALD技術發明人TuomoSuntola創立的，與Picosun專家隊伍被稱為ALD的

摘要 粉末原子層沉積系統ALD美國ALDNANOSOLUTIONS公司技術，專注于粉末顆粒表面鍍膜

摘要 原子層沉積（ALD）是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法

摘要 主要特點/MAINFEATURE主要特點/MAINFEATURE●樣品類型：粉體樣品

摘要 原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。

摘要 ALD可實現從傳統的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

摘要 原子層沉積系統，包括：傳統的熱原子層沉積系統（TALD）、等離子增強原子層沉積系統（PEALD）、粉末樣品的原子層沉積系統（Power-ALD）。

摘要 原子層沉積系統（ALD P-1000 Pro ）

摘要 原子層沉積系統（ALD P-300 BV）

摘要 原子層沉積系統（ ALD P-200 Pro）

摘要 原子層沉積系統（ALD P-300 Advanced）

摘要 原子層沉積系統（ALD R-200 Advanced）

摘要 原子層沉積系統（ ALD R-200 Standard）

摘要產品描述：等離子體增強原子層沉積系統 ...

摘要原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯的，這種方式使每次反應只沉積一層原子。應用領域原...

摘要 在界定的劑量體積下精確引物加樣

摘要原子層沉積系統SAL1000G是一款包含手套箱小型桌面ALD原子層沉積系統，具有良好的均勻性及*的階梯覆蓋性能，使用戶能夠控制每個原子層的沉積。通過手套箱，可在惰性氣體環境下進行操作，并且可以防止吸入納米級顆粒。該設備是小型且經濟實惠的型號，與主機和控制電源相結合，追...

摘要 桌面型原子層沉積系統

摘要 SAL-3000 ALD原子層沉積系統SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設備，該設備最多可搭載6路前驅體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

摘要PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應器制造而得到的專業技術。Tuomo Suntola博士，于1974年發明了ALD技術，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術官SVEN LINDFORS從1975年開始連續的設計ALD系統。綜合起來講，PICOSUN擁有了2...