等離子體質譜

摘要 聯合質譜儀通過軟電離技術有效的實現不同氣體組分間的分離，特別適用于復雜混合物的實時連續動態檢測。可檢測多達170種以上的不同氣體成分

摘要 離子分子反應質譜是通過雙軟電離技術（IMR-MS）的集成同時檢測兩個不同采樣位置的氣體組分，特別適用于在不同位置同時對復雜混合物的實時連續動態檢測。可檢測躲到170種以上的組分

摘要 Tribrid™ 三合一質譜儀選型檢驗檢測、表征和定量分析的新界限，旨在擴展高級蛋白質組學、生物制藥和代謝組學應用（包括使用同量異序標記的定量分析、低水平 PTM 分析、數據非依賴采集 （DIA） 和 top down 蛋白質組學）的性能。

摘要 Tribrid™ 三合一質譜儀檢驗檢測、表征和定量分析的新界限，旨在擴展高級蛋白質組學、生物制藥和代謝組學應用（包括使用同量異序標記的定量分析、低水平 PTM 分析、數據非依賴采集 （DIA） 和 top down 蛋白質組學）的性能。

摘要GBC Optimass9500 ICP-TOFMS等離子體飛行時間質譜儀，以其遠超出四極桿質譜的分析性能，代表 了ICP-MS產品的zui*水平。ICP-TOFMS可以同時測量所有元素及同位 素質量的特性，不僅具有超高的分析速度，而且可以方便地實現瞬時分 析，從而使...

摘要 APW-602f空氣等離子春日電機KASUGA空氣等離子APW-602f,APG-500；電暈表面改性測試設備TEC-4AX

摘要 手持式光離子化檢測儀批發價格是一種通用性兼選擇性的檢測器，對大多數有機物都有響應信號，美國EPA己將其用于水、廢水和土壤中數十種有機污染物的檢測。

摘要 便攜式光離子化揮發性有機氣體檢測儀是一種通用性兼選擇性的檢測器，對大多數有機物都有響應信號，美國EPA己將其用于水、廢水和土壤中數十種有機污染物的檢測。光離子化檢測器從結構上可分為光窗型和無光窗型兩種。

摘要微機化等離子體實驗儀 型號：DP-DL-II　本儀器包括氣體放電管、接線板、等離子體電源和測試儀表（主機）、微機、數據采集卡和輔助分析軟件。利用本儀器可以行單探針法和雙探針法（又稱朗繆爾探法）實驗。測定等離子體各項參量，既可以用手動逐點測量探針伏安性曲線，又可以用微...

摘要 等離子體實驗儀 型號：DP-DL-1作為物質第四態而存在的等離子體，已被應用于金屬加工、電子工業、醫學、顯示、薄膜制及廣播通訊等

摘要 PerkinElmer 等離子質譜儀

摘要山東藍譜儀器有限公司是一家專注于光譜、質譜和色譜分析儀器技術開發和芯片級維修的技術服務公司，公司現有一支技術專業、素質過硬的專業維修工程師團隊，工程師具有多年從事相關儀器技術開發經歷，在工程實踐中積累豐富的技術開發和維修經驗，尤其擅長儀器各種電路板的無圖紙芯片級維修，...

摘要 山東藍譜儀器有限公司是一家專注于光譜、質譜和色譜分析儀器技術開發和芯片級維修的技術服務公司，公司現有一支技術專業、素質過硬的專業維修工程師團隊，工程師具有多年從事相關儀器技術開發經歷，在工程實踐中積累豐富的技術開發和維修經驗，為國內客戶提供了更多優異選擇。

摘要 安捷倫7500系列具有自動化的易于使用、靈活性、可靠性以及優秀的設計，它提供了高水平的分析性能。新的7500系列可配備第二代八級桿反應池（ORS）技術，提供多種選擇的進樣附件、更好的應用與維修服務支持，它正在使得實驗室進入ICP-MS時代；

摘要產地類別進口價格區間面議檢測項目水體中離子濃度的連續監測儀器種類在線型應用領域環保,生物產業,石油,印刷包裝,制藥 ppb級別溶氧儀，工業廢水溶解氧分析儀GPI 被廣泛應用于污水處理廠、地表水、自來水廠及各類工況企業排放的水體中離子濃度的連續監測，以便控制水質達到規...

摘要簡要描述：LabMS 3000系列ICP-MS承載了LabTech公司創始人胡克博士三十多年的質譜研發和研制經驗，自主研發設計，擁有獨立知識產權。該產品穩定、可靠、簡便、靈活，具有穩定、耐用的離子源，高靈敏度、寬動態范圍的檢測器以及用于控制質譜多原子離子干擾的第四代碰...

摘要 儀器簡介：追求并實現了高速度、高分辨率的ICP分析裝置

摘要 儀器簡介：有機溶液、氫氟酸等也可以直接進樣

摘要 儀器簡介：ICP發射光譜儀具有ppb級的高靈敏檢測能力，５～６數量級的動態寬分析濃度范圍以及多元素同時分析等的特長，應用領域廣闊

摘要 l普通純度氬氣即可穩定工作（≥99.95%），無需使用昂貴的高純氬氣（99.999%）

摘要【MPCVD培育鉆石】HMPS-2080SP微波等離子體(CVD)系統 HMPS-2080SP的微波等離子體CVD設備是一款多用途、高性能的適用于高品質金剛石及多種碳基材料制備的綜合實驗和產業化設備，該設備可提供2英寸的金剛石材料生長能力...

摘要 ■ 緊湊、集成型的超高基質進樣系統，可以實現在線氬氣稀釋--可在不稀釋的情況下直接分析總溶解態固體含量大于10%的樣品；有機樣品加氧除碳—可在不消解的情況下直接分析有機基質的樣品，從而減少樣品前處理時間并避免此過程中引入的各種污染。

摘要 混氣管式PECVD系統由單溫區管式爐、真空系統、質子流量計、射頻電源系統系統組成PECVD設備是借助于光放電等方法產生等離子體,

摘要 開啟式管式爐PECVD系統由高溫管式爐,真空壓強控制系統,多通道高精度數字質量流量控制系統,過壓保護及冷凝等部分組成,可實現真空達0.1mbar混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。

摘要 實驗室滑軌爐PECVD系統設備通過滑動爐體來實現快速的升降溫,配置不同的真空系統來達到理想的真空度；同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。

摘要 【DiaMiner培育鉆石設備】DM-8000微波等離子體CVD設備

摘要 等離子體去膠機GIGAbatch360M和380M采用等離子體除膠清洗清潔功能為晶圓去膠提供晶圓去膠機

摘要等離子體流動控制設備采用質量流量控制法對等離子體進行氣體流量、密度、溫度、壓力的控制。等離子體流動控制設備可靠性高、重復性高。寬范圍的參數調節范圍，可使用多種氣體，實現范圍的參數選擇。 手自一體控制模式，方便操作。 PLC控制功率、質量流量控制等實現參數的精確控制和記...

摘要簡單介紹： 二手安捷倫（瓦里安）720ES ICP-OES 安捷倫 720系列 ICP-OES 提供zui出色的性能、zui快的分析速度和zui高的穩定性。密封的磚利設計的新一代 VistaChip II CC...

摘要 PECVD,支持定制，單片或卷對卷式PECVD

摘要 微波等離子體激發源　　基于自主設計固態微波源開發出不同類型的微波等離子體激發源設備（工作氣體為Ar、He等），工作穩定可靠，結構緊湊，可用于等離子體噴涂、微波等離子體熱脫附、廢水處理以及質譜儀大氣壓離子化源等設備

摘要 應用范圍：

摘要 電感耦合等離子體發射光譜儀Optima 8000

摘要 儀器簡介TeledyneLeemanLabs公司潛心多年研制開發出搭載CMOS固態檢測器的ICP光譜儀Prodigy7，作為劃時代的第七代產品，在國內于2013年BCEIA期間隆重發布

摘要PHI nanoTOF II 飛行時間二次離子質譜儀是一種表面敏感的技術，提供表面分子，元素及其同位素前幾個原子層的組成圖像。所有元素和同位素，包括氫氣都可以用飛行時間二次離子質譜分析。在理論上，該儀器可以在一個無限大的質量范圍內提供很高的質量分辨率（在實踐中通常是大...

摘要 珀金埃爾默NexION 2200 ICP-MS基體耐受性，三組四極桿設計，結合新穎成熟的技術（包括第二代帶OmniRing的三錐接口），可為用戶提供出色的靈敏度、干擾去除、穩定性、基質耐受性、通量/正常運行時間，以及可持續性和運營成本效率。

摘要珀金埃爾默NexION 1100 ICP質譜儀單分析，對于測試實驗室進行痕量元素分析尋找一個可靠的但易于操作的系統能夠高樣品吞吐量，易于使用，低維護儀器的強大傳統，現在重塑常規 ICP質譜應用的用戶體驗。其單分析儀、三路四路設計，結合單氣路（可升級到多個通道）和現代化...

摘要珀金埃爾默NexION 5000多重四極桿ICP-MS，創新設計達到和超過如半導體、生物監測和其他應用領域嚴苛的痕量和超痕量元素檢測要求。NexION 5000性能超越了傳統的三重四極桿技術，提供極低的背景等效濃度（在高溫熱等離子字體中，BECs1 ppt）和出色的檢...

摘要 臺式等離子體清洗器是專業為實驗室等離子體表面清潔處理設計的等離子體表面清潔儀器,適合于科研、隱形眼鏡、生物醫學,科研實驗室等小零件小樣品表面清潔處理

摘要 這款小型等離子體表面處理機是專業為實驗室樣品清洗設計的臺式等離子體清洗機,可用于各種等離子體工藝，包括等離子體交聯和清洗各種基底（如金屬、陶瓷、玻璃和硅）的有機和無機污染物,具有等離子體表面處理的主要功能又節省空間,適合科研實驗室和工業研發

摘要 高級等離子體表面處理系統NEBULA是為器件等離子體處理設計的大型等離子體處理機器,離子體表面處理系統NEBULA用于等離子體清潔、附著力改善,等離子體表面活化增強表面潤濕性,適用于金屬、聚合物、復合材料、玻璃和陶瓷

摘要 高功率等離子體處理機HPT-500是為器件元件等離子體處理設計的進口離子體處理器,高功率等離子體處理機用于等離子體清潔、附著力改善,等離子體表面活化增強表面潤濕性,適用于金屬、聚合物、復合材料、玻璃和陶瓷

摘要 這款射頻等離子體發生器是進口射頻等離子體放大器,提供13.56MHz,120W的射頻等離子體發射,非常適合工業,科研和醫學應用

摘要PE-CVD解決方案與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質量。高質量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產類似質量...

摘要 系統中的PECVD可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。標準配置射頻(RF)，可選用空陰密度等離子體(HCD)源、感應耦合等離子體（ICP）源。