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SMU源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)

來(lái)源：武漢普賽斯儀表有限公司 2024年05月29日 14:07

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/strong>

通過(guò)實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問(wèn)題和解決問(wèn)題的能力。

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸?/strong>
實(shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)二：四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)三： MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)優(yōu)勢(shì)

滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中微電子器件和材料測(cè)試需求
測(cè)試設(shè)備簡(jiǎn)單易用，專業(yè)全威，方便學(xué)生動(dòng)手操作
核心設(shè)備測(cè)試精度高，滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
測(cè)試軟件功能齊全，平臺(tái)化設(shè)計(jì)，有專人維護(hù)支持，與專業(yè)測(cè)試軟件使用相同架構(gòu)
以基礎(chǔ)平臺(tái)為起點(diǎn)，可逐步升級(jí)，滿足日益增加的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試需求

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)基本功能

實(shí)驗(yàn)名稱

測(cè)試參數(shù)

金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性的IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)

l 輸出特性曲線

l 轉(zhuǎn)移特性曲線

l 跨導(dǎo)gm

l 擊穿電壓BVDS

四探針?lè)y(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)

l 四探針?lè)娮杪师?/span>

l 材料阻值R

MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)（低頻 + 高頻）

l CV特性曲線

半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)

l 霍爾電壓VH

l 霍爾電阻率ρ

l 霍爾系數(shù)RH

l 載流子濃度n

l 霍爾遷移率u

激光二極管LD的LIV特性測(cè)試

l LIV特性曲線

l 閾值電流Ith

l 閾值電流對(duì)應(yīng)電壓值Vth

l 拐點(diǎn)Kink

l 線性電阻Rs

太陽(yáng)能電池的特性表征

l 開(kāi)路電壓Voc

l 短路電流Isc

l 功率最大值Pmax

l 填充因子FF

l 轉(zhuǎn)換效率η

l 串聯(lián)電阻Rs

l 旁路電阻Rsh

本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)核心

測(cè)試平臺(tái)的核心– 源測(cè)量單元（源表， SMU）

普賽斯國(guó)產(chǎn)源表四表合一四象限模式
四線/開(kāi)爾文測(cè)試功能
小信號(hào)測(cè)試
滿足先進(jìn)器件和材料測(cè)試需求

交流測(cè)試使用LCR表

探針臺(tái)：4寸或6寸手動(dòng)探針臺(tái)

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