納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術(shù)

納米二氧化硅表面改性研究-低場核磁技術(shù)

納米二氧化硅具有常規(guī)材料*的優(yōu)異性能，在先進陶瓷、微電子、航天航空、生物制藥、光學檢測等領(lǐng)域獲得了廣泛的應用，但由于穩(wěn)定性低、易發(fā)生團聚和難于分散，需要對超細粉體進行適當?shù)谋砻嫣幚硪愿纳祁w粒的表面特性和提高其分散性能，達到應用要求。

納米二氧化硅表面改性方法

納米二氧化硅表面改性方法是指改變非金屬礦物粉體表面或界面的物理化學性質(zhì)的方法，主要有表面物理涂覆、化學包覆、無機沉淀包覆或薄膜、機械力化學、化學插層等。目前工業(yè)上粉體表面改性常用的方法主要有表面化學包覆改性法、沉淀反應改性法、機械化學改性法和復合法。

在實際生產(chǎn)過程中，正確評價表面改性效果，對及時調(diào)整改性劑、工藝與設備參數(shù)等至關(guān)重要。低場核磁共振技術(shù)可用于粉體表面改性研究，特別是懸浮體系的表面特性研究。

低場核磁技術(shù)用于納米二氧化硅表面改性劑研究的基本原理：

對于潤濕的顆粒體系，顆粒表面會附著一層液相分子，這些液相分子因無機相表面的吸附作用而運動受限。但未與顆粒相接觸的液相分子運動是自由的，液相分子的馳豫時間（relaxation time）與它所處的運動狀態(tài)密切相關(guān)，自由狀態(tài)的液相分子的核磁馳豫時間要比束縛狀態(tài)的液相分子的馳豫時間長得多，顆粒分散性更好的體系吸附溶劑量相對更多，弛豫時間也就更短。因此，可以利用低場核磁共振技術(shù)來測量懸浮液體系的馳豫時間，并計算顆粒的濕潤比表面積（可利用的吸附表面積），進而用來研究顆粒的團聚狀態(tài)、分散性穩(wěn)定性、親和性以及潤濕性等問題。