NRE-4000型RIE-HCP系統有什么優勢

我們的優勢｜NRE-4000型RIE-HCP系統

NANO-MASTER NRE-4000 型RIE-HCP系統，用于高速刻蝕硅、SiO2和Si3N4基片，通過配套HCP高密度中空陰極等離子源，系統可以支持RIE和RIE-HCP 應用，提供廣泛的應用。

眾多的優勢配置，使得NRE-4000 型系統具有許多優勢：

? 超高的薄膜均勻性

? 良好的粘附力

? 超凈的沉積（高真空支持）

? 出色的工藝控制

? 高度的可重復性（計算機全自動工藝控制）

? 易使用（可直接調用編好的工藝程序）

? 運行可靠（所有核心組件均帶有保護）

? 低維護（完整的安全互鎖）

? 高、低溫基片樣品臺

? 小的占地面積26”x44”

? 全自動工藝控制

01. 產品優勢之 HCP源

NANO-MASTER HCP 源為雙腔室淋浴頭平面離子源，均勻氣流分布、高離子密度（可達1011量級）、低等離子溫度、低等離子勢能、低腔體占空比，使該系統具有等離子分布均勻、生長速率高、薄膜損傷低、Cycle時間快、薄膜純度高的優勢。無石英視窗腐蝕問題。反應氣體如O2、N2、H2和氟基氣體從等離子源上方引入。下游 HCP 等離子源為中空陰極類型，可獨立控制實現高離子密度，同時通過獨立的等離子源電源實現樣品臺的低能量控制，實現低損傷刻蝕。

02.產品優勢之 刻蝕工藝

通過我們的工藝和設備設計，通過不同的等離子源的控制方案，可以組合支持三種刻蝕模式，即RIE*各向異性刻蝕、HCP各向同性刻蝕，以及HCP和RIE的高密度各向同性刻蝕。因此系統可以用于圖形刻蝕、去膠、清洗、表面活化、表面改性、深孔清洗等多種應用。

通過氟基氣體的使用，系統在RIE模式下進行刻蝕，SiO2的刻蝕速率大約在30nm/min。增加HCP后以RIE-HCP模式進行刻蝕，刻蝕速率可以高達100nm/min左右。

03. 產品優勢之 腔體設計

NANO-MASTER采用緊湊型優化設計的22”陽極氧化鋁，帶氣動升降頂蓋的腔體設計，通過計算機一鍵實現頂蓋的開啟和閉合，便于樣片的放入取出以及腔體的維護，并且避免機械摩擦造成的腔門磨損問題。

氣體通過無繞曲設計的不銹鋼管路通過HCP 源進入腔體。超凈的陽極氧化鋁腔體可以兼容百級超凈間使用。觀察視窗位于下腔體，可實時觀察腔體內的等離子情況。

04. 產品優勢之 樣品臺

NRE-4000帶RF 的偏壓樣品臺，用于產生高電壓的自偏壓。樣品臺可支持大尺寸基片的刻蝕（我們可以提供1.5m直徑的大尺寸基片刻蝕）。

對于430mm直徑的樣片，我們配套17”的陽極氧化鋁樣品臺，對氟基氣體以及其它常規氣體惰性，可以直接放置基片到樣品臺，而無需片托。樣品臺為電隔離的水冷設計，工藝期間不會出現RF隨冷卻劑泄露而導致功率衰減的問題，確保刻蝕工藝的穩定性。在去邊5mm的情況下達到優于+/-5%的刻蝕均勻性。

如果選配Auto L/UL，樣品臺可升級為帶頂針升降機制的樣品臺，可從預真空臂自動傳輸樣片。

05. 產品優勢之真空系統（分子泵已選配）

NANO-MASTER 普法HiPace700 型抗腐蝕渦輪分子泵，超低維護率，160 ISO-K 接口，抽速可達680L/Sec。串接普法2021C1型機械泵，帶Fombline泵油，可支持氟基氣體和氧氣等活性氣體使用。采用真空直連設計，分子泵和腔體之間具有優異的真空傳導率。系統可以在 8小時內達到極限真空（5x10-7Torr），20 分鐘可達到10-6Torr 量級的高工藝真空。系統通過計算機直接控制渦輪分子泵的渦輪速度，可以實現工藝腔體下游壓力的全自動調節，快速穩定。

雙真空計配置，Baratron真空計用于工藝壓力的實時監測，另外Inficon冷離子真空計用于本底真空測量，真空讀數實時顯示在監控屏幕上，通過圖表和數字兩種方式可以查看實時真空和真空趨勢曲線。

06. 產品優勢之 氣流分布

淋浴頭氣流分布，三個獨立的氣體管路跟淋浴頭相連無繞曲的氣體管路設計。

五路氣體包含SF6，CF4，CHF3，O2和Ar，每路氣體包含柜體內的不銹鋼氣體管路、氣動截止閥和MFC質量流量控制器，通過計算機可以實現全自動精確的流量控制。氣體管路通過VCR和VCO連接，氣體管路采用N2氣體吹掃。其中CF4和O2可以用于腔體的等離子自動清洗。

07. 產品優勢之 等離子源電源

系統配套兩套NANO-MASTER等離子源電源，跟NANO-MASTER系統具有優異的結合性能。兩套電源均為1KW的功率，13.56MHz頻率，均配套自動調諧器。其中一套電源配套自動調諧器用于樣品臺偏壓，可實現RIE刻蝕。第二套電源帶自動調諧器用于HCP等離子源，用于產生高密度等離子。兩套電源可獨立控制，實現等離子密度和等離子能量的分開控制。支持多種模式的刻蝕。

08. 產品優勢之 控制系統

系統通過Labview軟件和20”觸屏監控屏幕提供友好的操作界面，通過計算機實現全自動的工藝控制，使得該RIE-HCP系統具有高度的可重復性。*的安全互鎖，四級密碼權限訪問保護，包含:操作者（運行菜單）、工程師（獨立控制子系統及菜單開發）、工藝工程師(編寫程序)、維護，菜單驅動。真空、氣流、分子泵速度、偏壓、閥門狀態等各工藝參數實時顯示。

Engineering Mode界面

系統支持不限數量的工藝程序，每一個工藝可以支持1-100個工藝步驟。

在工藝工程師模式下，用戶可以根據自己的需要編輯多步驟的程序，每個步驟均可設定各個氣體的使用/停用，以及流量大小，可以分別設置兩個等離子源電源的各自功率以及啟用/關閉狀態，可分別使用單獨使用，也可以同時使用。此外，可以設定工藝的目標壓力以及是否啟用調節。

Service Mode界面

用戶可以在維護模式下，對系統進行手動模式的調試，可以用于開發工藝程序。其中任意一個參數均可獨立調節。系統提供兩種模式調節腔體的工藝真空：設定目標壓力，或者設定分子泵的目標轉速。

整個系統只需要按照字段輸入想要調試的內容值即可，具備簡便的操作。

09. 產品優勢之 系統設計

系統提供緊湊型的設計，占地面積緊湊，性能出色，控制*，全面的安全保障。*的設計，確保了系統緊湊的同時維持了高品質的性能。對于NRE-4000 型系統，左側為氣路和真空相關的配置，右側為控制和儀表的配置。

10. 產品優勢之 案例

以下為我們的RIE系統（不帶HCP）的對硅和銦鎵砷的刻蝕案例。

Si的RIE刻蝕

InGaAs的RIE刻蝕

11. 產品優勢之 客戶列表

Air Force, OH

Peking University,Beijing, China

Beijing Institute of Technology, Beijing, China

Nanjing University, Nanjing, China

Jilin Jianzhu University, Jilin, China

NREL, Golden, CO

Anhui Normal University, Wuhu, Anhui China

HKPC, Hong Kong

Dalian University of Technology，Dalian，China

Motorola, Austin, TX

IBM, Yorktown, Hts., NY

Shenzhen advanced technology research institute，Shenzhen，China

Tanner Research, Pasadena, CA

Xi’an Institute of Optics and Precision Mechanics of CAS，Xi’an，China

Advance Material Research Center SIRIM Bhd, Malaysia

Jiangsu University, Zhenjiang, China

GE Global Research, Niskayuna, NY

Shanghai institute of silicate technology，Shanghai，China

SITAR, Bangalore, India

Baoji University, Shaanxi, China

Wuhan Academy of Agricultural Sciences, Hubei, China

3M, St Paul, MN

IMRE, Singapore

Sichuan University, Chengdu, China

Xi’an 771 Institute, Xi’an, China

ARACA, Tucson, AZ

ST Microelectronics, Carrolton, TX

CRS, Hong Kong, China

NASA, Hampton, VA

nanoCoolers, Austin, TX

Shanghai Jiaotong University, Shanghai, China

South China University of Technology，Guangzhou，China

TOTAL, Palaiseau Cedex, France

Universidad Pais Vasco, Leioa, Spain

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