芯片測試方法

一：X-RAY檢查
1，X-RAY含義：

X-RAY射線又稱倫琴射線，一種波長很短的電磁輻射，由德國物理學家倫琴在1895年發現。一般指電子能量發生很大變化時放出的短波輻射，能透過許多普通光不能透過的固態物質。利用可靠性分析室里的X-RAY分析儀，可檢查產品的金絲情況和樹脂體內氣孔情況，以及芯片下面導電膠內的氣泡，導電膠的分布范圍情況。 
2，X-RAY檢查原則 
不良情況     原因或責任者  
球脫      組裝  
點脫      如大量點脫是同一只腳，則為組裝不良。如點脫金絲形狀較規則，則為組裝或包封之前L/F變形，運轉過程中震動，上料框架牽拉過大，L/F打在予熱臺上動作大，兩道工序都要檢查。如點脫金絲弧度和旁邊的金絲弧度差不多，則為組裝造成。  
整體沖歪，亂，斷     為包封不良，原因為吹模不盡，料餅沾有生粉，予熱不當或不均勻，工藝參數不當，洗模異常從而導致模塑料在型腔中流動異常。  
個別金絲斷     組裝擦斷或產品使用時金絲熔斷。  
只有局部沖歪     多數為包封定位時動作過大，牽拉上料框架時造成，也有部份為內部氣泡造成。  
金絲相碰     弧度正常，小于正常沖歪率時，為裝片或焊點位置欠妥  
內焊腳偏移     多數為組裝碰到內引腳。  
塌絲     多數為排片時碰到。  
導電膠分布情況     應比芯片面積稍大，且呈基本對稱情形。 

二：超聲清洗
1，清洗僅用來分析電性能有異常的，失效可能與外殼或芯片表面污染有關的器件。此時應確認封裝無泄漏，目的是清除外殼上的污染物。清洗前應去除表面上任何雜物，再重測電參數，如仍失效再進行清洗，清洗后現測電參數，對比清洗前后的電參數變化。清洗劑應選用不損壞外殼的，通常使用丙酮，乙醇，甲苯，清洗后再使用純水清洗，后用丙酮，無水乙醇等脫水，再烘干。清洗要確保不會帶來由于清洗劑而引起的失效。 
2，超聲檢測分析 
SAT—即超聲波形顯示檢查。 
超聲波，指頻率超過20KHZ的聲波（人耳聽不見，頻率低于２０HZ的聲波稱為次聲波），它的典型特征：碰到氣體反射，在不同物質分界面產生反射,和光一樣直線傳播。 
SAT就是利用這些超聲波特征來對產品內部進行檢測，以確定產品密封性是否符合要求，產品是否有內部離層。 
3，超聲判別原則 
芯片表面不可有離層 
鍍銀腳精壓區域不可有離層 
內引腳部分離層相連的面積不可超過膠體正面面積的20%或引腳通過離層相連的腳數不可超過引腳總數的1/5　 
芯片四周導電膠造成的離層在做可靠性試驗通過或做Bscan時未超出芯片高度的2/3應認為正常。 
判斷超聲圖片時要以波形為準，要注意對顏色黑白異常區域的波形檢查  
4，超聲檢查時應注意  
對焦一定要對好，可反復調整，直到掃描出來的圖像很“干脆”，不出現那種零零碎碎的紅點。 
注意增益，掃描出來的圖像不能太亮，也不能太暗。 
注意產品不能放反，產品表面不能有任何如印記之類造成的坑坑洼洼，或其它雜質，氣泡。 
探頭有高頻和低頻之分，針對不同產品選用不同的探頭（由分析室工作人員調整）。通常樹脂體厚的產品，采用低頻探頭，否則采用高頻探頭。因頻率高穿透能力差。 
 
三：開帽 
1，高分子的樹脂體在熱的濃硝酸（98%）或濃硫酸作用下，被腐去變成易溶于丙酮的低分子化合物，在超聲作用下，低分子化合物被清洗掉，從而露出芯片表層。 
2，開帽方法： 
取一塊不銹鋼板，上鋪一層薄薄的黃沙（也可不加沙產品直接在鋼板上加熱），放在電爐上加熱，砂溫要達100-1５0度，將產品放在砂子上，芯片正面方向向上，用吸管吸取少量的發煙硝酸（濃度>98%）。滴在產品表面，這時樹脂表面起化學反應，且冒出氣泡，待反應稍止再滴，這樣連滴5-10滴后，用鑷子夾住，放入盛有丙酮的燒杯中，在超聲機中清洗2-5分鐘后，取出再滴，如此反復，直到露出芯片為止，后必須以干凈的丙酮反復清洗確保芯片表面無殘留物。 
將所有產品一次性放入98%的濃硫酸中煮沸。這種方法對于量多且只要看芯片是否破裂的情況較合適。缺點是操作較危險。要掌握要領。 
3，開帽注意點： 
所有一切操作均應在通風柜中進行，且要戴好防酸手套。 
產品開帽越到后越要少滴酸，勤清洗，以避免過腐蝕。 
清洗過程中注意鑷子勿碰到金絲和芯片表面，以免擦傷芯片和金絲。 
根據產品或分析要求有的開帽后要露出芯片下面的導電膠.,或者第二點. 
另外，有的情況下要將已開帽產品按排重測。此時應首先放在80倍顯微鏡下觀察芯片上金絲是否斷，塌絲，如無則用刀片刮去管腳上黑膜后送測。 
注意控制開帽溫度不要太高。 
4，分析中常用酸： 
濃硫酸。這里指98%的濃硫酸,它有強烈的脫水性,吸水性和氧化性。開帽時用來一次性煮大量的產品，這里利用了它的脫水性和強氧化性。 
濃鹽酸。指37%（V/V）的鹽酸，有強烈的揮發性，氧化性。分析中用來去除芯片上的鋁層。 
發煙硝酸，指濃度為98%（V/V）的硝酸。用來開帽。有強烈的揮發性，氧化性，因溶有NO2而呈紅褐色。 
王水，指一體積濃硝酸和三體積濃鹽酸的混合物。分析中用來腐金球，因它腐蝕性很強可腐蝕金。  
 
四：內部目檢: 
1，視產品不同分別放在200倍或500倍金相顯微鏡下或立體顯微下仔細觀察芯片表面是否有裂縫，斷鋁，擦傷，燒傷，沾污等異常。對于芯片裂縫要從反面開帽以觀察芯片反面有否裝片時頂針頂壞點，因為正面開帽取下芯片時易使芯片破裂。反面的導電膠可用硝酸慢慢腐，再用較軟的細銅絲輕輕刮去。 
2，腐球分析 
將已開帽的產品放在加熱到沸騰的10%—20%的KOH（或NaOH）溶液中或加熱到沸騰的王水（即3：1的濃鹽酸和濃硝酸混合溶液）中。浸泡約3到5分鐘（個別產品浸泡時間要求較長，達10分鐘以上）。在100到200倍顯微鏡下用細針頭輕輕將金絲從芯片上移開（注意勿碰到芯片），如發現金球仍牢牢地粘在芯片上，則說明還需再腐球，千萬不要硬拉金絲，以免造成人為的凹坑，造成誤判。 
3，分析過程中要檢查的內容 
 
五：外部目檢

1，內容：是否有樹脂體裂縫，管腳間雜物致短路，管腳是否被拉出樹脂體，管腳根部是否露銅，管腳和樹脂體是否被沾污，管腳是否彎曲變形等不良。 
X-RAY  是否有球脫、點脫、整體沖歪，金絲亂，斷、局部沖歪、塌絲、金絲相碰、焊腳偏移、膠體空洞、焊料空洞，焊料覆蓋面積，管腳間是否有雜物導致管腳短路等異常。 
超聲檢測。是否有芯片表面、焊線第二點、膠體與引線框之間等的內部離層。 
2，開帽后的內部目檢。

（1）用30-50倍立體顯微鏡檢查：鍵合線過長而下塌碰壞芯片；鍵合線尾部過長而引起短路；鍵合線頸部損傷或引線斷裂；鍵合點或鍵合線被腐蝕；鍵合點盡寸或位置不當；芯片粘接材料用量不當或裂縫；芯片抬起，芯片取向不當，芯片裂縫；多余的鍵合線頭或外來顆粒等。

（2）金屬化，薄膜電阻器缺陷在50-200倍顯微鏡下檢查，主要有腐蝕，燒毀，嚴重的機械損傷；光刻缺陷，電遷移現象，金屬化層過薄，臺階斷鋁，表面粗糙發黑，外來物沾污等。

（3）金屬化覆蓋接觸孔不全，氧化層/鈍化層缺陷出現在金屬化條下面或有源區內，鈍化層裂紋或劃傷。  
腐球分析。  主要目的是檢查球焊時采用的工藝是否對壓焊區造成不良影響如彈坑即壓區破裂。此時對其它部位可檢查可忽略。