單晶少子壽命測試儀 少子壽命測試儀 型號：GZ-LT-2
| GZ-LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。 |
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| 本儀器根據通用方法高頻光電導衰退法的原理設計，由穩壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。 |
| 技 術 指 標 ： |
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| 測試單晶電阻率范圍 | >2Ω.cm | | 可測單晶少子壽命范圍 | 5μS～7000μS | | 配備光源類型 | 波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒； | | 高頻振蕩源 | 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz | | 前置放大器 | 放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz | | 儀器測量重復誤差 | <±20％ | | 測量方式 | 采用對標準曲線讀數方式 | | 儀器消耗功率 | <25W | | 儀器工作條件 | 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz | | 可測單晶尺寸 | 斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm； | | 配用示波器 | 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm； |
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