磁阻效應實驗儀 型號；HAD-FD-MR-II
磁阻器件由于靈敏度高、抗*力強等優點在工業、交通、儀器儀表、醫療器械、探礦等領域應用十分廣泛，如：數字式羅盤、交通車輛檢測，導航系統、wei鈔檢測、位置測量等。其中典型的銻化銦（ InSb）傳感器是一種價格低廉、靈敏度高的磁電阻，有著十分重要的應用價值。
本實驗裝置結構簡單、實驗內容豐富，使用兩種材料的傳感器：利用砷化鎵（ GaAs）霍耳傳感器測量磁感應強度，研究銻化銦（InSb）磁阻傳感器在不同的磁感應強度下的電阻大小。學生可觀測半導體的霍耳效應和磁阻效應兩種物理規律，具有研究性和設計性實驗的特點。
該儀器可用于理工科大學的基礎物理實驗和設計性綜合物理實驗，也可用于演示實驗。
應用本實驗儀可以完成以下實驗：
1．用于測定通過電磁鐵的電流和磁鐵間隙中磁感應強度的關系，觀測砷化鎵（GaAs）霍耳元件的霍耳效應。
2．用于測定銻化銦（InSb）磁阻元件電阻大小磁感應強度的對應關系。
3．研究銻化銦（InSb）磁阻元件在不同磁感應強度區域的電阻值變化與磁感應強度的關系，進行曲線擬合，求出磁阻元件電阻與磁感應強度關系的經驗公式。
4．外接信號發生器，深入研究磁電阻的交流特性（倍頻效應），觀測其*的物理現象（選做）。
儀器主要技術參數：
1.雙路直流電源
電流范圍 0－500ｍA 連續可調，數字電流表顯示大小。
電流范圍 0－3ｍA 連續可調，供傳感器的工作電流。
2.數字式毫特計
測量范圍 0－0.5T，分辨率0.0001T，準確率為1%。
