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美國CELTRON HOC單點式稱重傳感器:
HOC-750kg，HOC-1000kg，HOC-2000kg
美國CELTRON DSR/DSR-SS梁式稱重傳感器:
DSR-1Klb，DSR-1.5Klb，DSR-2Klb，DSR-2.5Klb，MDB-30T DSR-3.5Klb，DSR-10Klb，DSR-15Klb，DSR-20Klb，KDR-25Klb，DSR-50Klb，DSR-75Klb
DSR-5KSS，DSR-10KSS，DSR-25KSS，DSR-50KSS，DSR-75KSS，DSR-HSS
美國CELTRON DLB梁式稱重傳感器:
DLB-25K lb DSR-40K lb DSR-50K lb DSR-60K lb DSR-75K lb DSR-100K lb DSR-125K lb
美國CELTRON CLB梁式稱重傳感器:
CLB-20K lb CLB-25K lb CLB-40K lb CLB-50K lb CLB-60K lb CLB-75K lb CLB-100K lb CLB-125K lb
美國CELTRON CSB梁式稱重傳感器:
CSB-5K lb CSB-10K lb CSB-20K lb CSB-30K lb CSB-40K lb CSB-50K lb CSB-60K lb CSB-100K lb CSB-150K lb
10霍爾傳感器的工作原理;
激勵電流 I 從 a 、 b 端流入，磁場 B 由正上方作用于薄片，這時電子 e 的運動方向與電流方向相反，將受到洛侖茲力 FL 的作用，向內側偏移，該側形成電子的堆積，從而在薄片的 c 、 d 方向產生電場 E 。電子積累得越多， FE 也越大，在半導體薄片 c 、 d 方向的端面之間建立的電動勢 EH 就是霍爾電勢。
由圖可以看出，流入激勵電流端的電流 I 越大、作用在薄片上的磁場強度 B 越強，霍爾電勢也就越高。磁場方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態磁場或交變磁場。
半導體薄片置于磁感應強度為 B 的磁場中，磁場方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流 I 流過薄片時，在垂直于電流和磁場的方向上將產生電動勢 EH ，這種現象稱為霍爾效應，該電動勢稱為霍爾電勢，上述半導體薄片稱為霍爾元件
11. 正確選擇以上傳感器填入以下空內：
1.可以進行位移測量的傳感器有光纖傳感器、差動變壓器、電阻傳感器；
2.可以完成溫度測量的有熱電偶、熱敏電阻；熱釋電；
3.半導體式傳感器是磁敏、霍爾元件、氣敏傳感器、壓阻傳感器；
4.光電傳感器有光電耦合器、色敏傳感器、光纖傳感器、光電二極管；
5.用于磁場測量的傳感器霍爾器件、磁敏晶體管；
6.進行振動（或加速度）測量的傳感器磁電傳感器、壓電傳感器；
7.利用物體反射進行非電量檢測的傳感器超聲波傳感器、紅外傳感器
12. 簡述變磁阻式傳感器的工作原理及其特點。
答：變磁阻式傳感器的工作原理是利用線圈電感或互感的改變來實現非電量電測的 變磁阻傳感器的優點： （1）結構簡單， 工作中沒有活動觸點，因而工作可靠壽命長。
（2）靈敏度高，分辨率大，能測出0.01um甚至更小的機械位移，能夠感受小至0.1rad/s微小角變化。傳感器輸出信號強，電壓靈敏度可達數百mV/mm，測量范圍寬，重復性好，線性度優良并且比較穩定，高精度的變磁阻傳感器，非線性誤差僅為0.1%。
變磁阻傳感器的缺點： 頻率相應差，存在交流零位信號，不宜用于高頻零位測量。
13. 保持電容式傳感器特性穩定的方法及其實現措施。
答：（1）減小邊緣效應的影響。增大電容器的初始電容量，即增大極板面積和減小極板間距。此外，加裝等位環也是一有效辦法。
（2）減小寄生電容的影響。對傳感器進行靜電屏蔽，即將電容器極板放置在金屬殼體內，并將殼體良好接地。出于同樣的原因，其電極引出線也必須用屏蔽線，且屏蔽線外套必須同樣良好接地。
