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    北京金時(shí)速儀器設(shè)備經(jīng)營(yíng)部


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    RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀

    閱讀:38發(fā)布時(shí)間:2016-12-29

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      北京金時(shí)速儀器設(shè)備經(jīng)營(yíng)部

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    RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀

     

     

    測(cè)量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的便攜式設(shè)計(jì)體積僅為:125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)

     RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理的多用途綜合測(cè)量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)   A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的,于測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
     儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)、裝配。具有功能選擇直觀、測(cè)量取數(shù)快、精度高、測(cè)量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測(cè)試臺(tái)使用。
     本儀器廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能單晶(多晶)生產(chǎn)廠家為硅材料的分選測(cè)試,半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對(duì)半導(dǎo)體材料的電阻性能測(cè)試。

            

    四探針測(cè)試儀前面板               帶把手四探針探頭

     

    技 術(shù) 指 標(biāo) :

    便攜式四探針測(cè)試儀按測(cè)量范圍可選配RTS-2型或RTS-2A型,區(qū)別:測(cè)量范圍不一樣。

     

     RTS-2測(cè)量范圍

     電阻率:0.01~1999.9Ω.cm;  
       方塊電阻:0.1~19999Ω/□; 

     RTS-2A測(cè)量范圍

     電阻率:0.001~199.99Ω.cm;  
       方塊電阻:0.01~1999.9Ω/□; 

    RTS-2恒流源

     電流量程分為100μA、1mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

    RTS-2A恒流源

     電流量程分為1mA、10mA兩檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)

    數(shù)字電壓表

     量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
       分辨力:10μV;
       輸入阻抗:>1000MΩ;
       精度:±0.1% ;
       顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示;極性、超量程自動(dòng)顯示;

    四探針探頭基本指標(biāo)

     間距:1±0.01mm;
       針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 
       機(jī)械游移率:≤0.3%;
       探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm;
       探針壓力:5~16 牛頓(總力);

    四探針探頭應(yīng)用參數(shù)

     (見探頭附帶的合格證)

    模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差
      ( 按JJG508-87進(jìn)行)

     1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

    整機(jī)測(cè)量zui大相對(duì)誤差

    (用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測(cè)試)≤±5%

    整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度

     ≤5%

    外型尺寸

     125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)

    標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境

     溫度:23±2℃;
       相對(duì)濕度:≤65%;
       無(wú)高頻干擾;
       無(wú)強(qiáng)光直射;


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