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  • 北京同德創(chuàng)業(yè)科技有限公司
    中級(jí)會(huì)員 | 第13年

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    流平性測(cè)定儀

    參  考  價(jià)面議
    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

    產(chǎn)品型號(hào)TYC-QAG

    品       牌

    廠商性質(zhì)其他

    所  在  地北京市

    更新時(shí)間:2025-07-29 12:24:37瀏覽次數(shù):642次

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    產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 加工定制
    流平性測(cè)定儀 流平試驗(yàn)器主要用于實(shí)驗(yàn)室測(cè)定液態(tài)涂料的相對(duì)流平性(涂料在干燥過(guò)程中消除表面弊病的能力)。本試驗(yàn)器于ASTM 02501-199 D2801-1994及JB/T3995-1999 標(biāo)準(zhǔn)。

     

    流平性測(cè)定儀 

      

    于實(shí)驗(yàn)室測(cè)定液態(tài)涂料的相對(duì)流平性(涂料在干燥過(guò)程中消除表面弊病的能力)。本試驗(yàn)器于ASTM 02501-199 D2801-1994及JB/T3995-1999 標(biāo)準(zhǔn)。

    主要技術(shù)參數(shù)
    1 TYC-QAG -1:涂層 100-1000μm 外形尺寸:框式 120X20x20mm (長(zhǎng) x 寬 x 高)
    2 TYC-QAG -2:涂層 250~4000μm 外形尺寸:槽式 120x22X20mm(長(zhǎng) X 寬 X 高)

    流平性測(cè)定儀 

     

    產(chǎn)品名稱:智能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀
    產(chǎn)品型號(hào):SH-03

    智能抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀 型號(hào):SH-03
    概 況 
    本儀器是一種先進(jìn)的測(cè)量介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)的儀器,用于工頻下,測(cè)量各種緣材料、緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等設(shè)備的介質(zhì)損耗(tgδ)和電容容量(Cx)。它淘汰了QSI電橋,具有操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印、使用方便、無(wú)需換算、自帶,抗干擾能力強(qiáng),測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn);另外,本儀器針對(duì)電容式電壓互感器(CVT)試驗(yàn)困難的特點(diǎn),增設(shè)了自激法測(cè)試,無(wú)需外接標(biāo)準(zhǔn)電容器、調(diào)壓器,使得測(cè)試非常簡(jiǎn)單可靠,是我公司的第四代智能化介質(zhì)損耗測(cè)試儀。 
    技術(shù)指標(biāo) 
    1、環(huán)境:-5℃~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)間日照)  
      2、相對(duì)濕度:30%~70%  
      3、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±Hz  
      4、外形尺寸:長(zhǎng)*寬*高=435mm*300mm*300mm  
      5、重量:20kg  
      6、輸出功率:1KVA  
      7、顯示分辨率:3位、4位(內(nèi)部全是6位)  
      8、測(cè)試方法:正接法、反接法、外接試驗(yàn)電壓法、自激法  
      9、測(cè)量范圍:內(nèi)接試驗(yàn)電壓:≤60000PF  
                   外接試驗(yàn)電壓:由外接試驗(yàn)變壓器輸出功率而定  
    10、基本測(cè)量誤差: 
                 介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09% 
                 電容容量(Cx):1.5%±2pF

     

     

     

    產(chǎn)品名稱:晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)
    產(chǎn)品型號(hào):DBC-112

    晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái) 型號(hào):DBC-112
    一、晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)概述: 
        該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái),能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù),測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示,讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設(shè)備具有操作簡(jiǎn)單,測(cè)試準(zhǔn)確,重復(fù)性好等特點(diǎn),是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和使用單位為理想的檢測(cè)設(shè)備。 
    二、晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)主要技術(shù)指標(biāo)和參數(shù): 
     1.峰值電壓測(cè)量范圍:0—4000V 
     2.峰值漏電流測(cè)量范圍:0—100mA 
     3.峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍:0—99mA   
     4.觸發(fā)電壓測(cè)量范圍:0—5V  
     5.觸發(fā)電流測(cè)量范圍:0—450mA 
     6.維持電流測(cè)量范圍:0—450mA 
     7.通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍:0—6000A 
     8.通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍:0—5V 
     9.整機(jī)電源功耗:AC220、≤1000VA

     

     

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