表面接枝率測定-低場核磁法

納米級二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好,比表面積大,親水性、力學補強性、增稠性及防粘結性等特性,廣泛應用于電子封裝材料、高分子復合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領域。

二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態的羥基不飽和殘鍵,親水疏油,易于團聚,必須要對其進行功能化改性,以提高性能及應用范圍。

表面接枝率測定-低場核磁法應用:

樣品:二氧化硅等無機顆粒,ABS等表面接枝聚合物

規格:可裝入10mm口徑試管,裝樣高度不超過2cm注意事項:樣品不得含有大量鐵磁性物質

表面接枝率測定-低場核磁法的優勢:

1. 檢測成本低

2.快速簡單

3.適用于宏觀樣品等特性

4.無需任何專業操作員培訓

表面接枝率測定-低場核磁法應用基本原理:

LU等科學家采用多洛倫茲分裂算法將游離PEG的NMR信號與接枝的NMR信號區分開,從而可以使用1H-NMR對接枝過程進行原位監測。該方法的優點是不受接枝基團末端官能團類型、表面化學性質、納米粒子或組成的限制,它還為相關科學研究提供表征納米顆粒上基團接枝密度的關鍵和標準指南。低場核磁技術因為其設備成本較低,使用簡單,適用于宏觀樣品等特性,非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過MSE系列序列實現死時間內的1H核磁信號采集,zui大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團中H原子核的信號,利用外標法進行定量分析。

低場核磁法用于表面接枝率測定

科研中由于做表面接枝改性實驗,有很多相關的數據需要和接枝率相聯系起來,但是不知道用什么方法來完成表面接枝率測定。本文介紹的低場核磁法是一種快速無損的檢測方法,推薦大家使用。