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閱讀：1375發(fā)布時(shí)間：2022-11-8
惠斯通電橋不是惠斯通發(fā)明的，在測(cè)量電阻及其它電學(xué)實(shí)驗(yàn)時(shí)，經(jīng)常會(huì)用到叫惠斯通電橋的電路，很多人認(rèn)為這種電橋是惠斯通發(fā)明的，其實(shí)，這是一個(gè)誤會(huì)，這種電橋是由英國(guó)發(fā)明家克里斯蒂在 1833年發(fā)明的，但是由于惠斯通個(gè)用它來(lái)測(cè)量電阻，所以人們習(xí)慣上就把這種電橋稱作了惠斯通電橋。
惠斯通電橋是由四個(gè)電阻組成的電橋電路，這四個(gè)電阻分別叫做電橋的橋臂，惠斯通電橋利用電阻的變化來(lái)測(cè)量物理量的變化。
⑴ 對(duì)邊
R13=(R1+R3)//(R2+R4)
R24=(R1+R2)//(R3+R4)
⑵ 鄰邊
R12=R1//(R2+R3+R4)
R23=R3//(R1+R2+R4)
R43=R4//(R1+R2+R3)
R14=R2//(R1+R3+R4)
⑶ 硅壓力芯片中的4 個(gè)電阻非常接近，簡(jiǎn)稱為橋阻R。
R1≈R2 ≈R3≈R4 ≈R
R13≈R24 ≈R
R12≈R23 ≈ R43≈R14≈3/4R
硅壓力芯片中的電橋與理論存在差異，實(shí)際測(cè)試電阻時(shí)是有方向的，假設(shè)圖中 1端是IN+ ，3是IN-，測(cè)量電阻的萬(wàn)用表正表筆應(yīng)接高點(diǎn)位，即測(cè)量1 、3 間的電阻，1接正表筆 + ，3 接負(fù)表筆。
電橋不平衡時(shí)，G的電流IG與R1， R2，R3，R4有關(guān)。利用這一關(guān)系也可根據(jù)IG及三個(gè)臂的電阻值求得第四個(gè)臂的阻值，因此不平衡電橋原則上也可測(cè)量電阻。
（部分資料來(lái)源于百科）
參考資料
1.[英]艾倫·艾薩克斯;郭建中,江昭明,毛華奮等．麥克米倫百科全書：浙江人民出版社，2002
2.明.淺談惠斯通電橋在醫(yī)學(xué)診斷和檢測(cè)儀器中的應(yīng)用[J].醫(yī)療裝備,2002(04):13-14.
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