富士電機（中國）有限公司
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SiC器件具有出色的特性，能夠實現高耐壓、低功耗、高頻動作和高溫動作。使用SiC的功率半導體能夠實現大幅節能和安裝產品的小型化、輕量化。
| 接線 | VRRM (V) | Io (A) |  TO-220 |  TO-220F |  TO-247 |  T-Pack(s) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 單管 | 650 | 6 | FDCP06S65 | FDCA06S65 | ||
| 8 | FDCP08S65 | FDCA08S65 | ||||
| 10 | FDCP10S65 | FDCA10S65 | FDCY10S65 | FDCC10S65 | ||
| 25 | FDCP25S65 | FDCA25S65 | FDCY25S65 | FDCC25C65 | ||
| 1200 | 18 | FDCA18S120 | FDCY18S120 | |||
| 雙管 | 650 | 20 | FDCP20C65 | FDCA20C65 | FDCY20C65 | FDCC20C65 |
| 50 | FDCY50C65 | |||||
| 1200 | 36 | FDCY36C120 |
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