多參數(shù)（流量）變送器

特點(diǎn)一:浮動(dòng)硅電容芯片

采用*先進(jìn)之一的富士三代浮動(dòng)膜盒技術(shù)，如圖所示:被測差壓通過導(dǎo)壓管進(jìn)入變送器的高低壓保護(hù)室，保護(hù)室起到瞬間過壓保護(hù)作用，差壓信號(hào)通過毛細(xì)管進(jìn)入測量室再作用到測量膜片和浮動(dòng)膜片上，隨著外加差壓的變化，測量膜片產(chǎn)生與差壓成比例的微小位移。硅膜片的作用相當(dāng)于差動(dòng)電容中的活動(dòng)電極。在正常輸入差壓作用下，浮動(dòng)膜片基本上是不動(dòng)的，當(dāng)檢測部件一側(cè)承受單向過載壓力時(shí)，浮動(dòng)膜片產(chǎn)生位移，這樣就使用測量膜片的變形量減小。由于檢測部件的核心體是隨單向過載壓力浮動(dòng)的，因此，在承受單向壓力時(shí)隔離膜片與基座波紋間被擠出的充灌液被吸收，測量膜片不會(huì)緊貼到對(duì)面的球形固定電極上，而是隔離膜片緊貼在與其吻合的基座保護(hù)波紋上不再移動(dòng)。同時(shí)測量膜片和外殼沒有應(yīng)力的連接，使得變送器的長期穩(wěn)定性得到大幅度提高。這就是富士公司的單向保護(hù)、浮動(dòng)膜盒機(jī)構(gòu)。

特點(diǎn)二∶優(yōu)異的技術(shù)指標(biāo)

可工作在微微差壓:1~10Pa;長期穩(wěn)定性:差壓長漂0.1%/10年;超寬測量范圍:差壓1200:1;流量30:1以上;

特點(diǎn)三:

可測量多個(gè)參數(shù)（差壓、壓力、溫度、環(huán)境溫度），在變送器內(nèi)依據(jù)GB/T 2624直接運(yùn)算，同時(shí)數(shù)字通訊多個(gè)參數(shù)。允許雙向計(jì)量、協(xié)議計(jì)量、蒸汽品質(zhì)甄別、干度補(bǔ)償、流出系數(shù)多段補(bǔ)償?shù)葘I(yè)功能;

用途

可應(yīng)用于幾乎所有差壓式流量計(jì)，如孔板、噴嘴、V錐、彎管、巴類流量計(jì)等。

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