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    中級(jí)會(huì)員 | 第2年

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    電子科大&中南大學(xué):研發(fā)大范圍、高線性、快響應(yīng)的納米機(jī)電諧振式氣壓傳感器

    時(shí)間:2025/3/17閱讀:148
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    近日,電子科技大學(xué)王曾暉教授、夏娟研究員團(tuán)隊(duì)與中南大學(xué)周喻教授團(tuán)隊(duì)合作報(bào)道了基于非層狀二維材料β-In2S3的超高頻諧振式納米氣壓傳感器,實(shí)現(xiàn)了寬量程(從10-3 Torr直至大氣壓)、高線性(非線性程度僅為0.0071)和快響應(yīng)(內(nèi)稟響應(yīng)時(shí)間低于1微秒)的優(yōu)異傳感性能。研究人員還闡明了納米機(jī)電諧振器的頻率設(shè)計(jì)規(guī)律,并成功實(shí)驗(yàn)測(cè)定了材料彈性模量和器件內(nèi)應(yīng)力,為基于二維非層狀材料的新型低維納米器件的晶圓級(jí)設(shè)計(jì)與集成賦能。該成果近日發(fā)表于InfoMat期刊,論文的通訊作者還包括電子科技大學(xué)朱健凱博士(中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)首屆優(yōu)秀博士論文獎(jiǎng)獲得者)。


    二維非層狀材料具有應(yīng)用于納米機(jī)電結(jié)構(gòu)中的潛力,并因其的物理特性和表面活性,有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)性能優(yōu)異的傳感器件。然而,由于納米機(jī)電器件對(duì)于材料穩(wěn)定性和導(dǎo)電性等方面的要求,以及器件制備的難度,這一前景的應(yīng)用范式一直未得到探索。近日,該團(tuán)隊(duì)研究人員利用β-In2S3這一具備高載流子遷移率和適中帶隙的二維非層狀半導(dǎo)體,制備了一系列工作頻率在超高頻頻段的納米機(jī)電諧振器,實(shí)現(xiàn)的氣壓傳感性能在同類(lèi)器件中暫居。


    研究人員利用圓形納米鼓膜(圖1A?C)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)考察器件彈性特征。通過(guò)自主設(shè)計(jì)并優(yōu)化的激光干涉位移測(cè)量系統(tǒng),有效地表征了納米諧振器的超高頻段頻域動(dòng)態(tài)響應(yīng)(圖1D)。為驗(yàn)證β-In2S3納米諧振器的氣壓傳感性能,研究人員在10-4 Torr至大氣壓的寬氣壓范圍內(nèi)不間斷追蹤器件動(dòng)態(tài)響應(yīng),并分析了諧振頻率和質(zhì)量因子的調(diào)控機(jī)制。研究表明,諧振頻率隨氣壓增加而線性增長(zhǎng),響應(yīng)度高達(dá)259.77 ppm/Torr(即每Torr氣壓變化將引入高達(dá)2.328 KHz的頻偏),而非線性程度僅為0.0071,揭示了該傳感器的優(yōu)異響應(yīng)性能(圖1E)。此外,耗散因子隨氣壓增加引入的額外空氣阻尼呈下降趨勢(shì),理論分析表明該傳感器在大氣壓下的響應(yīng)速度可達(dá)0.95微秒。

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    圖1. (A?C)二維β-In2S3納米機(jī)電諧振器的(A)結(jié)構(gòu)示意圖、(B)器件顯微圖及(C)電鏡圖;(D)諧振器的基模諧振響應(yīng)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)(藍(lán)線)及模型擬合(紅線);(E)諧振頻率與耗散因子受腔室氣壓的調(diào)控關(guān)系(部分氣壓范圍)。


    研究人員制備并測(cè)試了24個(gè)不同厚度和尺寸的β-In2S3納米諧振器,它們工作頻率遍布8.48 MHz至89.97 MHz的寬頻率范圍(圖2A),并呈現(xiàn)與厚度相關(guān)的耗散機(jī)制(圖2B)。通過(guò)對(duì)諧振器本征頻率的理論分析,研究人員提出了不同器件幾何所對(duì)應(yīng)的器件彈性特征的分區(qū)規(guī)律,并在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)上得到驗(yàn)證。該研究還確定了β-In2S3材料的楊氏模量(45 GPa)和內(nèi)建應(yīng)力(約0.5 N/m內(nèi)),為基于二維非層狀材料的新型納米機(jī)電器件的設(shè)計(jì)、分析、調(diào)控和應(yīng)用提供了堅(jiān)實(shí)的理論基礎(chǔ)。

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    圖2. β-In2S3納米諧振器的性能及頻率設(shè)計(jì)規(guī)律圖。(A)實(shí)測(cè)的基模諧振頻率(散點(diǎn))及理論分析得到的頻率設(shè)計(jì)規(guī)律(實(shí)線及陰影);(B)從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取的耗散因子(Q)與器件尺寸的關(guān)系圖。



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