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  • 武漢普賽斯儀表有限公司
    初級(jí)會(huì)員 | 第3年

    18140663476

    • 3500V高壓數(shù)字源表

      普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)、大功率激...

      型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:00:26 對(duì)比
      高壓數(shù)字源表高壓源表高壓源數(shù)字源表源表
    • SMU源表iv測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)MOS管方案

      MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管 等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)、漏電流IGSS、...

      型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:58:23 對(duì)比
      源表數(shù)字源表SMU源表場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試MOS管測(cè)試
    • 國產(chǎn)源表哪家好,認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,高新企業(yè)

      國產(chǎn)源表哪家好,認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,高新企業(yè),普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試...

      型號(hào): S200B型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:56:37 對(duì)比
      源表國產(chǎn)源表普賽斯源表國產(chǎn)數(shù)字源表國產(chǎn)源表哪家好
    • 半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試儀

      IGBT靜態(tài)參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓VcE(sat)...

      型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:52:06 對(duì)比
      SiC靜態(tài)測(cè)試GaN靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
    • 直流3A高精密電流源

      普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,直流3A高精密電流源半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!

      型號(hào): S100B 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:50:24 對(duì)比
      電流源高精密電流源數(shù)字源表直流源直流源表
    • GaNGaAs高速器件IV測(cè)試脈沖恒壓源

      CP系列GaNGaAs高速器件IV測(cè)試脈沖恒壓源是武漢普賽斯儀表推出的窄脈寬、高精度、寬量程插卡式脈沖恒壓源。設(shè)備支持窄脈沖電壓輸出,并同步完成輸出電壓及電流測(cè)...

      型號(hào): CP系列 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:48:13 對(duì)比
      脈沖恒壓源GaN測(cè)試GaAs測(cè)試高速器件IV測(cè)試
    • 半導(dǎo)體功率器件分析儀

      普賽斯半導(dǎo)體功率器件分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參...

      型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:45:43 對(duì)比
      功率器件分析儀功率器件靜態(tài)測(cè)試功率器件靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試半導(dǎo)體功率器件分析
    • IGBT耐壓測(cè)試高壓源

      普賽斯儀表推出的IGBT耐壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿;單臺(tái)最大3500V的輸出;同步電流測(cè)量;

      型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:43:29 對(duì)比
      IGBT耐壓測(cè)試IGBT耐壓測(cè)試高壓程控源高壓源高壓電源
    • 國產(chǎn)新一代S300B數(shù)字源表

      普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)比備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!國產(chǎn)新一代S300B數(shù)字源...

      型號(hào): S型 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:41:03 對(duì)比
      源表數(shù)字源表國產(chǎn)源表國產(chǎn)數(shù)字源表國產(chǎn)SMU
    • IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源

      普賽斯儀表推出的IGBT擊穿電壓測(cè)試高壓源10ms級(jí)的上升沿和下降沿;單臺(tái)最大3500V的輸出;同步電流測(cè)量;

      型號(hào): E200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:39:25 對(duì)比
      IGBT擊穿電壓擊穿電壓測(cè)試高壓程控源高壓源高壓電源
    • 脈沖大電流源

      HCPL100型脈沖大電流源具有輸出電流大(1000A)、脈沖邊沿陡(15uS)、支持兩路脈沖電壓測(cè)量(峰值采樣)、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

      型號(hào): HCPL100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:36:56 對(duì)比
      大電流源脈沖大電流源脈沖電流源脈沖電流源測(cè)高電流源
    • 功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡

      功率半導(dǎo)體可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)采集卡使用高性能ADC芯片,分辨率可達(dá)16bits,最高支持2MS/s采樣率。單采集卡支持4通道,且通道間隔離。采集卡可應(yīng)用于我司3插卡...

      型號(hào): A200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:34:44 對(duì)比
      數(shù)據(jù)采集卡可靠性測(cè)試半導(dǎo)體可靠性測(cè)試半導(dǎo)體功率循環(huán)
    • 納米材料性能分析高精密源表

      實(shí)施電性能參數(shù)表征分析的工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的電壓源或電流源,可輸出恒壓、恒流、或者脈沖信號(hào),還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持...

      型號(hào): S200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:32:45 對(duì)比
      高精密源表源表納米材料性能分析納米材料測(cè)試
    • 如何用數(shù)字源表測(cè)試太陽能電池片

      太陽能電池在使用前我們需要對(duì)它的一些性能參數(shù)做一個(gè)測(cè)試了解。對(duì)于太陽能電池片的測(cè)試,我們一般測(cè)試電池的開路電壓VOC、短路電流ISC、最大功率Pmax、填充因子...

      型號(hào): S200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:30:40 對(duì)比
      源表數(shù)字源表太陽能電池片測(cè)試電池片測(cè)試光伏電池片測(cè)試
    • SMU數(shù)字源表簡化氣體傳感器特性分析

      通常,氣體傳感器 I-V 特性測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成,如數(shù)字表、電壓源、電流源等。然而,由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析,過程既復(fù)雜又...

      型號(hào): S100 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:28:13 對(duì)比
      氣體傳感器特性分析氣體傳感器特性測(cè)試數(shù)字源表SMU數(shù)字源表源表
    • SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

      SiC|GaN第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)...

      型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥488888更新時(shí)間:2024/1/2 7:22:48 對(duì)比
      SiC靜態(tài)測(cè)試GaN靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
    • 光電探測(cè)器性能測(cè)試SMU源表

      光電探測(cè)器一般需要先對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)試,封裝后再對(duì)器件進(jìn)行二次測(cè)試,完成Z終的特性分析和分揀操作;光電探測(cè)器在工作時(shí),需要施加反向偏置電壓來拉開光注入產(chǎn)生的電子空穴...

      型號(hào): S200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:20:30 對(duì)比
      SMU源表源表光電探測(cè)器性能測(cè)試電性能測(cè)試
    • 柔性材料I-V測(cè)試SMU源表

      普賽斯儀表攜手業(yè)內(nèi)之名廠商共同打造的柔性電子材料測(cè)試系統(tǒng),通過組合不同動(dòng)作的測(cè)試夾具,可以模擬扭、轉(zhuǎn)、彎、折、卷等5種基本測(cè)試動(dòng)作,柔性材料I-V測(cè)試SMU源表...

      型號(hào): S200 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:18:56 對(duì)比
      柔性材料I-V測(cè)試柔性材料電性能測(cè)試柔性材料測(cè)試SMU源表源表
    • 3500V隔離電壓測(cè)試高壓源

      3500V隔離電壓測(cè)試高壓源具有輸出及測(cè)量電壓高(3500V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在第一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3500V,輸出...

      型號(hào): E300 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:16:37 對(duì)比
      隔離電壓測(cè)試高壓源高壓程控電源高電壓源高壓恒流源
    • 600A QCW泵浦源老化電源

      HCPL系列600A QCW泵浦源老化電源具備CW及QCW輸出能力,單設(shè)備CW輸出電流可高達(dá)60A,輸出電壓可高達(dá)100V,可廣泛應(yīng)用于大功率LED的LIV測(cè)試...

      型號(hào): HCPL系列 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 7:14:33 對(duì)比
      泵浦源老化電源老化電源激光器老化電源泵浦激光器老化電源

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