1 　問題的發現圖 1 GIS水分處理工藝過程圖(用高純 N2)　　GIS在裝配良好的情況下 ,絕緣電阻較高。使用2. 5kV、100GΩ電子兆歐表進行測量時 ,絕緣電阻一般在 40GΩ～50GΩ之間 ,接觸電阻也符合廠家技術要求。但在對裝配好的單元進行抽真空時 ,經測量絕緣電阻會突然降低到 2MΩ～3MΩ。最初發現這種現象時 ,誤以為是前面某個工作環節出了問題 ,沒有及時發現絕緣電阻不合格。待這一抽真空單元充入 SF6 氣體之后 ,絕緣電阻又明顯的恢復到了 40GΩ～50GΩ。后來又多次發現裝配后的絕緣電阻下降 ,均是在抽真空的情況下出現。2 　原因的查找2. 1 GIS安裝工作程序　　由于工作現場常受到天氣狀況、環境溫度、濕度的影響 ,有效工作時間比較緊張。工作班組利用 GIS 各個單元氣室分離的特點 ,對已經安裝完畢的 GIS 單元進行氣室水分處理。圖 1 為 GIS水分處理程序圖。2. 2 　測量 GIS抽真空時絕緣電阻　　由于 GIS管母的對接貫通 ,使得各個安裝完畢的氣室在電氣連接上 ,都是導電的。當兩端的 GIS 單元進行對接測試的時候 ,中間對接好的 GIS單元正在進行抽真空水分處理工作。這樣就出現了絕緣電阻測量值變化比較大的情況。表 1 是 220kV 的 GIS自東向西第 3 氣室單元的不同真空度下絕緣電阻的測量值。