高分辨耐輻照硅探測器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用項目啟動

　　【儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日，國家重點研發(fā)計劃“高分辨耐輻照硅探測器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目正式啟動。
 

 

　　科學(xué)儀器設(shè)備是科學(xué)研究和技術(shù)創(chuàng)新的基石，是經(jīng)濟社會發(fā)展和國防安全的重要保障。為切實提升我國科學(xué)儀器設(shè)備的自主創(chuàng)新能力和裝備水平，促進產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，支撐創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的實施，我國啟動了國家重點研發(fā)計劃。
 

　　射線探測技術(shù)作為現(xiàn)代科技關(guān)鍵核心技術(shù)，在公共安檢設(shè)備、國防建設(shè)、核能開發(fā)利用等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用空間，目前我國硅輻射探測器市場上的產(chǎn)品絕大部分被國外壟斷，迫切需要在關(guān)鍵領(lǐng)域進行重點突破。耐高壓硅探測器作為國防特殊輻射測量設(shè)備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測量的動態(tài)范圍，對中子、伽馬射線等具有良好分辨力，在核輻射監(jiān)測、高能粒子探測、X射線衍射儀、安檢等應(yīng)用廣泛。
 

　　為此，四川藝精科技集團牽頭申報，中國工程物理研究院材料研究所、中國工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司共同參與了高分辨耐輻照硅探測器項目的研制，在2018年正式通過了科技部的立項，中央財政經(jīng)費為428萬元，實施周期為3年。
 

　　高分辨耐輻照硅探測器項目將通過以表面鈍化和離子注入等關(guān)鍵技術(shù)突破為重點，獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能硅輻射探測關(guān)鍵技術(shù)，從基礎(chǔ)研究、工藝控制、器件研制、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化等各階段提升核心競爭力，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主要任務(wù)包括研制高壓耐輻照硅探測器、面向公共安檢應(yīng)用的高性能X射線探測器、大面積X射線硅探測器等。
 

　　項目的考核指標主要有探測面積≥5cm×5cm；位置分辨率≤100μm；漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓;探測器工作電壓≥600V；抗輻照指標≥1×1015nep/cm2。產(chǎn)品完成時應(yīng)通過可靠性測試，平均故障間隔時間≥5000小時;技術(shù)就緒度達到9級。明確發(fā)明、標準和軟件著作權(quán)等知識產(chǎn)權(quán)數(shù)量；形成批量生產(chǎn)能力，明確項目驗收時銷售數(shù)量和銷售額。
 

　　該項目的實施將進一步提升相關(guān)領(lǐng)域的核心競爭力，打破對我國的技術(shù)封鎖，縮小與先進技術(shù)的差距，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以自主科技創(chuàng)新實現(xiàn)我國自己掌控相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和國家安全的命脈。下一步，團隊將重點研究硅表面鈍化工藝，通過控制硅表面氧化膜的厚度和質(zhì)量來提高器件工作性能及輻照性能。
 

　　(資料來源：科技日報、科技部、儀器信息網(wǎng))