【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】半導體材料是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，它的發(fā)展為我們的生活持續(xù)帶來便利和變革。作為領(lǐng)域內(nèi)的“新星”，鈣鈦礦半導體受到廣泛關(guān)注。近日，浙江大學科研團隊通過分子摻雜，實現(xiàn)了鈣鈦礦半導體從n型到p型的連續(xù)轉(zhuǎn)變，同時可以保持極高的發(fā)光性能。在可控摻雜的基礎(chǔ)上，團隊研制出具有簡單結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦LED，并創(chuàng)造了溶液加工LED的亮度記錄，達到了116萬尼特。
這項研究成果，于2024年9月11日，發(fā)表在國際頂尖學術(shù)刊物《自然》，論文標題為Controllable p- and n-type behaviours in emissive perovskite semiconductors，浙江大學是論文的唯一完成單位和通訊單位。通訊作者為浙江大學光電科學與工程學院/海寧國際聯(lián)合學院的狄大衛(wèi)教授和趙保丹研究員，第一作者為浙江大學2020級博士生熊文濤。
實現(xiàn)鈣鈦礦半導體電學性質(zhì)的靈活調(diào)控
“摻雜”是半導體領(lǐng)域的基礎(chǔ)概念。半導體材料之所以如此廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)，關(guān)鍵在于它們可以通過摻雜實現(xiàn)p型和n型兩種不同的導電特性。
對于傳統(tǒng)半導體而言，通過“摻雜”，即在晶格中引入雜質(zhì)，可以實現(xiàn)對其電學性質(zhì)的有效控制。例如，在硅中摻入硼，可以使其成為主要傳導正電荷(空穴)的p型半導體，而摻入磷則可以使其成為主要傳導負電荷(電子)的n型半導體。p型和n型半導體之間形成的p-n結(jié)，是現(xiàn)代電子技術(shù)的基礎(chǔ)。在p-n結(jié)界面處，電子和空穴會發(fā)生復合，產(chǎn)生隨電壓急劇變化的電流，從而實現(xiàn)整流、放大、開關(guān)等基本功能，再應(yīng)用在各種電子器件中。對半導體電學性質(zhì)的調(diào)控，催生了包括二極管、晶體管、太陽能電池、探測器、LED和半導體激光器在內(nèi)的革命性發(fā)明。
鈣鈦礦鹵化物是一種新型半導體，在太陽能電池、LED和激光器等器件中表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能，且易于低成本制備，在近年來得到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。但由于其結(jié)構(gòu)和成分較為復雜，如何實現(xiàn)對其電學特性的精確調(diào)控是領(lǐng)域的重要挑戰(zhàn)。之前的研究嘗試了多種方法，但難以在保持高發(fā)光效率的同時獲得良好的電學調(diào)控。
“作為半導體家族的一員，鈣鈦礦理應(yīng)跟其他半導體材料一樣，可以通過摻雜調(diào)整載流子的極性和濃度”，狄大衛(wèi)說，“我們進行的一系列實驗也證實了這一點：在引入摻雜后，鈣鈦礦的費米能級(即電子的預期能量)，從半導體帶隙的高能級側(cè)逐漸向低能級側(cè)移動。這意味著鈣鈦礦能夠?qū)崿F(xiàn)從有利于傳導電子(負電荷)的n型，向有利于傳導空穴(正電荷)的p型轉(zhuǎn)變。"
團隊使用的摻雜劑—4PACz，在過去被廣泛用作高效鈣鈦礦太陽電池的超薄分子層材料。趙保丹說：“我們偶然發(fā)現(xiàn)，4PACz這種實驗室里非常常見的材料，由于它具有強烈的吸電子能力，當作為摻雜劑引入鈣鈦礦半導體時，可以有效地將原本是n型的鈣鈦礦轉(zhuǎn)變?yōu)閜型。同時，在引入摻雜后，鈣鈦礦半導體仍然保持著很高的熒光效率。此外，我們也發(fā)現(xiàn)了適用于鈣鈦礦的n型摻雜劑。”
結(jié)構(gòu)簡單超高亮度的鈣鈦礦LED
當我們可以對鈣鈦礦半導體的電學性質(zhì)進行有效的控制，就為各種電子器件的設(shè)計和制造鋪平了道路、開拓出空間。
通常，鈣鈦礦LED會同時包含電子傳輸層和空穴傳輸層，以實現(xiàn)高效載流子注入，從而保證器件的卓越性能。不包含空穴傳輸層的簡化鈣鈦礦LED結(jié)構(gòu)具有制備成本低、可復現(xiàn)性高的優(yōu)勢，但通常發(fā)光效率較低。
但通過可控摻雜技術(shù)，研究團隊成功制備出不包含空穴傳輸層且性能優(yōu)異的鈣鈦礦LED。與此同時，與常規(guī)LED相比它還顯示出巨大優(yōu)勢。“令人驚喜的是，引入4PACz摻雜制備的p型鈣鈦礦LED，不僅結(jié)構(gòu)簡單，而且實現(xiàn)了116萬cd/m²(116萬尼特)的最高亮度，以及28.4%的外量子效率和23.1%的能量轉(zhuǎn)換效率。”熊文濤介紹，“這些器件的超高亮度刷新了溶液法LED(包括OLED、量子點LED和鈣鈦礦LED)的紀錄，其能量轉(zhuǎn)換效率為可見光鈣鈦礦LED的最高水平。”
進一步，團隊通過器件建模和光學測量，對這些高性能鈣鈦礦LED的工作原理進行了探究，結(jié)果與他們先前的理解高度一致，即摻雜引起的p型導電行為和載流子復合區(qū)的變化，是這些無空穴傳輸層器件卓越性能的主要貢獻因素。
“能夠控制鈣鈦礦半導體中載流子的極性和濃度，意味著新型器件設(shè)計和功能開發(fā)的可能性。我們研制的高亮鈣鈦礦LED和p-n結(jié)二極管只是一些初步演示。可控摻雜的鈣鈦礦半導體有望帶來新一代光電器件。”狄大衛(wèi)說。
上述研究受到國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金，以及浙江省、海寧市的支持。
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