主要應用
高分辨率帶電粒子譜測量。
特殊配置
特殊配置的帶電粒子探測器可應特殊要求提供。
資料 +
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A系列宣傳冊
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A系列宣傳冊(A4)
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安裝布局 +
訂購時必須指定安裝座。
A 這是一個“環形安裝座”;即硅晶片在其環上,沒有輸出連接器。這種不常使用的布局可應特殊要求提供。
B 背面的Microdot連接器。
C 背面的BNC連接器。
尺寸以毫米為單位。
對于1500或2000 mm深的探測器,在Y尺寸上增加1.5 mm。
探測器尺寸 (mm2)
W (標稱)A型 B型 后Microdot C型 后BNC X Y X Y Z X Y Z 025 5.6 15.2 3.7 16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 050 8.0 15.2 3.7
16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 100 11.3 22.0 3.7
23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 150 13.8 22.0 3.7
23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 300 19.5 27.1 3.7
28.6 12.3 7.1 28.6 12.3 15.9 450 23.9 30.5 3.7
32.0 12.3
7.1 32.0 12.3
15.9 公差 ±0.5 ±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
±0.3
訂購信息 +
訂購時必須指定安裝座
除非另有說明,否則提供B安裝座。
**型號的前三位數字表示使用標準ORTEC電子設備和0.5-μs整形時間常數時,241Am,5.486-MeV α的總系統分辨率FWHM。β分辨率近似于脈沖發生器寬度FWHM。
§需要特殊訂單。
注:兼容Alpha套件的探測器:ENS-系列(購買新系統時含安裝和測試)、ENS8系列(新系統的8包備件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探測器型號保證與Alpha套件產品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探測器都需要經過特殊批準以保證其兼容性及指標規格。
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 1000 µm α β 型號. 25 13
146
6A-013-025-1000
A-014-025-1000
50 14
157
8A-014-050-1000
A-015-050-1000
100 14
157
8A-
A-
150 15
169
10A-
A-
300 17
1813
14A-
A-
450 18
1913
14A-
A-
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 1500 µm§
α β 型號. 25 14
169
11A-014-025-1500
A-016-025-150050 16
1811
13A-016-050-1500
A-018-050-1500
100 17
1912
14A-
A-
150 18
2013
15A-
A-
300 20
2315
18A-
A-
450 21
2616
21A-
A-
有效面積 (mm2)
保證分辨率* (keV) 最小耗盡深度 2000 µm§ α β 型號. 25 16 11 A-016-025-2000 50 17 12 A-017-050-2000
100 18 13 A-
150 19 14 A-
300 22 17 A-