中心傳感單元采用高精度硅技術，精確到±0.05%（可達±0.025%）
雙過載保護膜片設計，單相過壓可達42MPa
靜壓誤差可達±0.05% / 10MPa內
溫度性能在±0.04% / 10k內，溫度影響變化小
量程比調節100：1，適應性更廣
多參量（壓力、溫度、靜壓）輸出應用可選
EMC符合GB / T 18268.1-2010
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中心傳感單元采用高精度硅技術，精確到±0.05%（可達±0.025%）
雙過載保護膜片設計，單相過壓可達42MPa
靜壓誤差可達±0.05% / 10MPa內
溫度性能在±0.04% / 10k內，溫度影響變化小
量程比調節100：1，適應性更廣
多參量（壓力、溫度、靜壓）輸出應用可選
EMC符合GB / T 18268.1-2010
| 產品名稱 | 參考價 | 地區 | 公司名稱 | 更新時間 | |
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