超高溫600攝氏度耐中子輻照核反應(yīng)堆內(nèi)LVDT位移傳感器

ATX-XR系列LVDT位移傳感器專為測量溫和極低溫的位移測量而設(shè)計，ATX-XR系列LVDT傳感器可以從-200~600℃中運行。
ATX-XR系列LVDT位移傳感器還具有較高耐輻射性，可以承受伽馬射線總積分量10¹¹ Rad或10⁹ Gy,可暴露于1x10¹⁹ NVT 總中子通量中。

ATX-XR系列超高溫耐輻照位移傳感器導(dǎo)線采用不銹鋼護(hù)套保護(hù)，這些電纜可以端接到密封的接頭上或連接器（如果需要）。
由于大多數(shù)無機(jī)絕緣材料都具有吸濕性，因此整個線圈組件均密封在不銹鋼內(nèi)，這樣可以防止水份積聚、絕緣泄漏，并保護(hù)線圈不受周圍有害介質(zhì)的影響同時允許磁芯自由移動。

某些應(yīng)用需要同時抵抗伽瑪射線，中子射線和高輻射的組合溫度。在考慮詳細(xì)的規(guī)格和對特定應(yīng)用的適用性之前，請先回顧和遵循以下工作定義和等效內(nèi)容。

總中子通量
總積分中子通量（也稱為中子注量）是隨時間積分的中子通量。
中子通量：所有中子每單位時間和體積所移動的總距離
中子通量的公式：中子數(shù)/體積x距離/時間=中子密度x速度
中子密度：每單位體積的中子數(shù)（n）

總中子通量的公式：
中子密度x速度x時間=中子密度x距離

總中子通量單位：
n/m ³ x m = n/m ² (n: 中子數(shù); m: 米)

NVT (n/cm ² )

單位換算: 1 NVT = 10 ⁴ n/m ²

伽瑪射線總累積劑量（TID）輻射
電離輻射的吸收劑量是每質(zhì)量單位沉積的能量。
單位：rad（輻射吸收劑量）：每千克物質(zhì)將沉積0.01焦耳能量的輻射
Gy（灰色）：每千克沉積1焦耳的能量的輻射（SI單位）
單位換算：1 Gy = 100 rad
所有輻射都會產(chǎn)生一定的損害，因此，問題就變成了多少輻射以及哪種輻射可以在保證其操作規(guī)范的同時保持性能。因此這些參數(shù)僅是估計。當(dāng)輻射能量落在物體上時，來自不同來源的等量能量可能會導(dǎo)致取決于輻射形式（即伽馬射線，中子等）的破壞程度不同。

這些不同來源也可能導(dǎo)致不同類型的損害。量化這些差異的一種方法是確定一個單元可以承受的輻射速率，而不會造成瞬時和不可接受的損壞。另一種方法是確定在“磨損”損壞之前可以吸收的總積分通量。必須牢記通量率和總積分通量之間的區(qū)別。
中子注量與伽馬射線之間沒有直接關(guān)系。如果我們假設(shè)能量相等，由于來自不同來源的耗散，單元吸收的能量將隨其吸收截面而變化。要是我們嘗試使損害平均化，由于損害的質(zhì)量差異，由各種形式輻射引起的不確定性更大。