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    STD2000 MOSFET參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)

    參考價(jià)訂貨量

    259000

    ≥1套

    具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
    • 型號(hào)STD2000
    • 品牌其他品牌
    • 所在地西安市
    • 更新時(shí)間2024-04-15
    • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
    • 所在地區(qū)西安市
    • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
    • 產(chǎn)品數(shù)量70
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      陜西天士立科技有限公司,專業(yè)從事半導(dǎo)體檢測(cè)之“半導(dǎo)體電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)”“半導(dǎo)體可靠性試驗(yàn)臺(tái)”“半導(dǎo)體老化試驗(yàn)臺(tái)”以及氣候環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、力學(xué)環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備、參數(shù)化脈沖電源、半導(dǎo)體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室為一體的科研、制造、開發(fā)、服務(wù)性品牌。核心團(tuán)隊(duì)匯集了來自院所高校和企業(yè)的從事電力電子、芯片開發(fā)、電源、軟件等領(lǐng)域人士。產(chǎn)品成熟可靠,久經(jīng)市場考驗(yàn),在替代同類進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。


          “半導(dǎo)體檢測(cè)”系列產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體功率器件的初始研發(fā)到規(guī)模量產(chǎn)再到應(yīng)用端的全產(chǎn)業(yè)鏈。服務(wù)領(lǐng)域包括半導(dǎo)體器件及IC上游產(chǎn)業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板)和應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)(院所高校、電子廠、軌道機(jī)車、新能源汽車、白色家電等......)應(yīng)用場景主要有器件及IC研發(fā)期預(yù)演測(cè)試、晶圓廠自動(dòng)化芯片測(cè)試、器件及IC后道封裝測(cè)試。應(yīng)用端的來料檢驗(yàn)、失效分析、器件選型、參數(shù)配對(duì)、壽命預(yù)估等。


         “環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備”包括力學(xué)振動(dòng)臺(tái)、沖擊試驗(yàn)臺(tái)、振動(dòng)溫度濕度三綜合、高低溫環(huán)境試驗(yàn)箱、各類氣候環(huán)境試驗(yàn)箱、熱流儀、精密實(shí)時(shí)在線高低溫箱。


         “電氣工程”產(chǎn)品系列及服務(wù)包括電力半導(dǎo)體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測(cè)設(shè)備;電氣自動(dòng)化設(shè)備,電冶、電化學(xué)整流裝置;電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源,感應(yīng)加熱爐,變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設(shè)備;晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器;遠(yuǎn)距離光電傳感轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng);光電脈沖觸發(fā)板、IGBT智能高壓驅(qū)動(dòng)機(jī)車調(diào)速匯報(bào)板;SVC無功靜補(bǔ)裝置等。

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    產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制 適用行業(yè)電子電器
    陜西天士立科技有限公司/STD2000/MOSFET參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN &amp; IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf等
    MOSFET參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

    MOSFET參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)


    陜西天士立科技有限公司/STD2000/MOSFET參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJTSCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on))以及IV特性曲線等

     

    高壓源標(biāo)配1400V(選配2KV),高流源標(biāo)配100A(選配40A,200A,500A)柵極電壓40V,柵極電流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%

     



    陜西天士立科技有限公司

    研發(fā)生產(chǎn) 半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)  各類儀器設(shè)備

     

     

    一:規(guī)格&環(huán)境

    1.1、產(chǎn)品信息

    產(chǎn)品型號(hào):STD2000

    產(chǎn)品名稱:MOSFET參數(shù)測(cè)試儀

    1.2物理規(guī)格

    主機(jī)尺寸:深660*430*210(mm)

    主機(jī)重量:<35kg

    1.3電氣環(huán)境

    主機(jī)功耗:<300W

    海拔高度:海拔不超過 4000m;

    環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲(chǔ)存)、5℃~50℃(工作);

    相對(duì)濕度: 20%RH75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)

    大氣壓力:86Kpa106Kpa

    防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

    電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

    工作時(shí)間:連續(xù);

     

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    研發(fā)生產(chǎn) 半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn)  各類儀器設(shè)備

     

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    第二部分:應(yīng)用場景和產(chǎn)品特點(diǎn)

    一、應(yīng)用場景

    1測(cè)試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試,主要功能為曲線追蹤儀

    2、失效分析(對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析,查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提出改善方案)

    3選型配對(duì)(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試,將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì))

    4來料檢驗(yàn)(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)

    5量產(chǎn)測(cè)試(可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備,實(shí)現(xiàn)規(guī)?;⒆詣?dòng)化測(cè)試)

    6替代進(jìn)口STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品)

     

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    二、產(chǎn)品特點(diǎn)

    1、程控高壓源10~1400V,提供2000V選配;

    2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A,500A選配;

    3、驅(qū)動(dòng)電壓10mV~40V

    4、控制極電流10uA~100mA

    516ADC1M/S采樣速率;

    6、自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP

    7、曲線追蹤儀,四線開爾文連接保證加載測(cè)量的準(zhǔn)確

    8、通過 RS232 接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表,對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)

    9、不同的封裝形式提供對(duì)應(yīng)的夾具和適配器(如TO220、SOP-8、DIPSOT-23等等)

    10、MOSFET參數(shù)測(cè)試儀能測(cè)很多電子元器件如二極管、三極管、MOSFETIGBT、可控硅、光耦、繼電器等等);

    11、MOSFET參數(shù)測(cè)試儀能實(shí)現(xiàn)曲線追蹤儀(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)

    12結(jié)電容參數(shù)也可以測(cè)試,諸如Cka,CissCrss,Coss

    13脈沖電流自動(dòng)加熱功能,方便高溫測(cè)試,無需外掛升溫裝置;

    14、Prober 接口、Handler 接口可選(16Bin,連接分選機(jī)效率1h/9000個(gè);

    15MOSFET參數(shù)測(cè)試儀在各大電子廠的IQC、實(shí)驗(yàn)室有著廣泛的應(yīng)用;

     

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    第三部分:產(chǎn)品介紹

    3.1、產(chǎn)品介紹

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合MOSFET參數(shù)測(cè)試儀的多年經(jīng)驗(yàn),以及眾多國內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,自主開發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代MOSFET參數(shù)測(cè)試儀”。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。

     

    MOSFET參數(shù)測(cè)試儀脈沖信號(hào)源輸出方面,高壓源標(biāo)配1400V(選配2KV),高流源標(biāo)配100A(選配40A,200A,500A)柵極電壓40V,柵極電流100mA,分辨率至1uV / 1.5pA,精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺(tái)編寫,填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座,自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長度引起的任何壓降,保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測(cè)試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見器件。無論電壓電流源還是功能配置都有著擴(kuò)展性。

     

    產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu),由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,還能夠通過Prober 接口、Handler 接口可選(16Bin)連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站,實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試。通過軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放。能夠應(yīng)對(duì)“來料檢驗(yàn)”“失效分析”“選型配對(duì)”“量產(chǎn)測(cè)試”等不同場景。

     

    MOSFET參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品的可靠性和測(cè)試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測(cè)試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)。創(chuàng)新的“點(diǎn)控式夾具”讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測(cè)。操作更簡單效率更高。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存為EXCEL文本,方便快捷的完成曲線追蹤儀。

    3.2、人機(jī)界面(STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀)

     

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    第四部分:功能配置

    4.1配置選項(xiàng)

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀的功能配置如下

    638476601736210870111.png

     

    4.2、適配器選型

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀的適配器有如下

     

     

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    4.3、測(cè)試種類及參數(shù)

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀的測(cè)試種類和參數(shù)如下

    (1)二極管類:二極管  Diode

    Kelvin,VrrmIrrm,Vf,△Vf,△VrrmCka,Tr(選配);

    (2)二極管類:穩(wěn)壓二極管  ZDZener Diode

    Kelvin,Vz,lr,Vf,△Vf,△VzRozlzm,Cka;

    (3)二極管類:穩(wěn)壓二極管  ZDZener Diode

    KelvinVz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzmCka;

    (4)二極管類:三端肖特基二極管SBDSchottkyBarrierDiode

    Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△VfV_VrrmI_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(選配);

    (5)二極管類:瞬態(tài)二極管  TVS

    Kelvin Vrrm IrrmVf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

    (6)二極管類:整流橋堆

    Kelvin 、VrrmIrrmIr_acVf、△Vf、△Vrrm Cka;

    (7)二極管類:三相整流橋堆

    Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

    (8)三極管類:三極管

    Kelvin 、Type_identPin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo V(br)ebo 、Icbo、lceoIebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd Ccbo 、Cces、Heater、Tr (選配)、Ts(選配)、Value_process;

    (9) 三極管類:雙向可控硅

    KelvinType_ident、Qs_chkPin_test、Igt、VgtVtmVdrm、VrrmVdrm rrmIrrm、 Idrm、Irrm_drmIhIL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm

    (10)三極管類:單向可控硅

    Kelvin、 Type_identQs_chkPin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm VrrmIHIL、△VdrmVrrmVtm

    (11)三極管類:MOSFET

    Kelvin 、Type_identPin_testVGS(th) 、V(BR)Dss Rds(on) Bvds_rz、△Bvds、GfsIgssldss 、Idss zero 、Vds(on)VsdCissCossCrssBvgs ld_lim HeaterValue_proces、△Rds(on) ;

    (12)三極管類:雙MOSFET

    Kelvin、 Pin_chkIc_fx_chkType_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rzGfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2Vsd1、Vsd2CissCoss、Crss;

    (13)三極管類:JFET

    KelvinVGS(off )、V(BR)DssRds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)vds(on)、 Vsd、Ciss、CrssCoss

    (14)三極管類:IGBT

    Kelvin、VGE(th)V(BR)CESVce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss

    (15)三極管類:三端開關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器

    KelvinVbb(AZ)Von(CL)Rson、Ibb(off)、Il(lim)、CossFun_pin_volt

    (16)三極管類:七端半橋驅(qū)動(dòng)器

    Kelvinlvs(off)lvs(on)Rson_h、Rson_l、linIinh、ls_Volt、Sr_volt

    (17)三極管類:高邊功率開關(guān)

    Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)ll(Iim)、CossFun_pin_volt

    (18)保護(hù)類:壓敏電阻

    Kelvin、VrrmVdrmIrrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

    (19)保護(hù)類:單組電壓保護(hù)器

    Kelvin 、VrrmVdrmIrrm、IdrmCka、△Vr

    (20)保護(hù)類:雙組電壓保護(hù)器

    KelvinVrrm、Vdrm、IrrmIdrm、Cka、△Vr;

    (21)穩(wěn)壓集成類:三端穩(wěn)壓器

    Kelvin Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_IRoz、△IB、VD、ISCMax_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk;

    (22)穩(wěn)壓集成類:基準(zhǔn)ICTL431

    Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、ZkaVka;

    (23)穩(wěn)壓集成類:四端穩(wěn)壓

    Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、VoutReg_Line、Reg_LoadIB、IB_I、Roz、△lBVDIsc、Max_lo、Ro、Ext_SwIc_fx_chk

    (24)穩(wěn)壓集成類:開關(guān)穩(wěn)壓集成器

    選配;

    (25)繼電器類:4腳單刀單組、5腳單刀雙組、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀、固態(tài)繼電器

    Kelvin、Pin_chkDip6_type_identVfIrVlIl、Ift、RonTon(選配)、Toff(選配);

    (26)光耦類:4腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦

    Kelvin、Pin_chkVf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)Tr、Tf

    (27)傳感監(jiān)測(cè)類:

    電流傳感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(選配);

    霍爾器件(MT44XX系列、A12XX系列)(選配);

    電壓監(jiān)控器(選配);

    電壓復(fù)位IC(選配);

    曲線追蹤儀

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    第五部分:性能指標(biāo)

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀的性能指標(biāo)如下

    5.1電流/電壓源VIS自帶VI測(cè)量單元

    1加壓(FV)

    量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

    量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

    量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

    量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

    量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

    2加流(FI)

    量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設(shè)定值±30mA

    量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設(shè)定值±2mA

    量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設(shè)定值±500uA

    量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設(shè)定值±50uA

    量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設(shè)定值±5uA

    量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設(shè)定值±500nA

    量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設(shè)定值±50nA

    量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設(shè)定值±5nA

    說明:電流大于1.5A自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍:300us-1000us可調(diào)

    3電流測(cè)量(MI)

    量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數(shù)值±20mA

    量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數(shù)值±2mA

    量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數(shù)值±200uA

    量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數(shù)值±20uA

    量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數(shù)值±2uA

    量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數(shù)值±200nA

    量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數(shù)值±20nA

    4電壓測(cè)量(MV)

    量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數(shù)值±20mV

    量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±2mV

    量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±200uV

    量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±20uV

    5.2、數(shù)據(jù)采集部分VM

    16ADC,1M/S采樣速率

    1電壓測(cè)量(MV)

    量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數(shù)值±200mV

    量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數(shù)值±20mV

    量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數(shù)值±10mV

    量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數(shù)值±5mV

    量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數(shù)值±2mV

    量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數(shù)值±2mV

    2漏電流測(cè)量(MI)

    量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數(shù)值±100uA

    量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數(shù)值±3uA

    量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數(shù)值±300nA

    量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數(shù)值±100nA

    量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數(shù)值±20nA

    量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數(shù)值±5nA

    量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數(shù)值±0.5nA

    3電容容量測(cè)量(MC)

    量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數(shù)值±50PF

    量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數(shù)值±100PF

    5.3高壓源HVS(基本)12DAC

    1加壓(FV)

    量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設(shè)定值±500mV

    量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設(shè)定值±50mV

    量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設(shè)定值±5mV

    2加流(FI)

    量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設(shè)定值±10uA

    量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設(shè)定值±2uA

    量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設(shè)定值±200nA

    量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

    量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

    STD2000MOSFET參數(shù)測(cè)試儀能測(cè)很多電子元器件如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用在院所高校、封測(cè)廠、電子廠.....

     

     

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