上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統, 帶有水冷方式, 低成本設計提供高離子電流. 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性：
1.水冷 - 與 KRI 霍爾離子源 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
2.可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統; 安裝方便
5.高效的等離子轉換和穩定的功率控制
伯東 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列在售型號及技術參數:
離子源型號
| 霍爾離子源 eH2000 |
Cathode/Neutralizer | F or HC |
電壓 | 50-300V |
電流 | 10A |
散射角度 | >45 |
| 可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
氣體流量 | 2-75sccm |
高度 | 4.0“ |
直徑 | 5.7“ |
水冷 | 是 |
伯東 KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域：
1. 離子輔助鍍膜 IAD
2. 預清洗 Load lock preclean
3. 預清洗 In-situ preclean
4. Direct Deposition
5. Surface Modification
6. Low-energy etching
7. III-V Semiconductors
8. Polymer Substrates
