星際金華原裝供應CAV25M01VE/NVGS3443T1GEEPROM存儲器/P溝道場效應晶體管，量大價優，質量有保證，現貨出售可提供樣品。
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CAV25M01VE EEPROM存儲器
存儲器類型 非易失
存儲器格式 EEPROM
技術 EEPROM
存儲容量 1Mb （128K x 8）
存儲器接口 SPI
時鐘頻率 10MHz
寫周期時間 - 字，頁 5ms
電壓 - 電源 2.5V ~ 5.5V
工作溫度 -40°C ~ 125°C（TA）
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 8-SOIC
NVGS3443T1G P溝道場效應晶體管
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 3.1A（Ta）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（大值） 65 毫歐 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（大值） 15nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（大值） 565pF @ 5V
FET 功能 -
功率耗散（大值） -
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 6-TSOP
封裝/外殼 SOT-23-6
